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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1336
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 100V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 1500 （最小值） @我
C
= 5A ，V
CE
= 4V
高
高速开关
应用
高
电源开关应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
150
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
8
V
I
C
集电极电流连续
6
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
10
A
2
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
35
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1336
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 2A ; L = 10MH
100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 200毫安;我
C
= 0
8
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 12.5毫安
B
1.5
V
V
BE （
SAT
)
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 12.5毫安
B
2.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 150V ;我
E
= 0
100
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
1500
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1MHz的
20
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= 5A ，我
B1
= -I
B2
= 12.5毫安;
V
CC
= 50V
0.7
t
英镑
贮存时间
4.0
μs
t
f
下降时间
1.5
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1336
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 100V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 1500 （最小值） @我
C
= 5A ，V
CE
= 4V
高
高速开关
应用
高
电源开关应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
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。是
w
w
价值
单位
150
V
100
V
8
V
6
A
10
A
2
W
35
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1336
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 2A ; L = 10MH
100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 200毫安;我
C
= 0
8
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
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= 5A ;我
B
= 12.5毫安
B
1.5
V
V
BE （
SAT
)
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 12.5毫安
B
2.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 150V ;我
E
= 0
100
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
开关时间
t
on
开启时间
t
英镑
贮存时间
t
f
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
1500
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1MHz的
I
C
= 5A ，我
B1
= -I
B2
= 12.5毫安;
V
CC
= 50V
20
兆赫
0.7
μs
4.0
μs
1.5
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24LC32A-IST
250E-2C-5.5
22226061472
2FI100A-030C
2N1476
223FFR100K
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封装
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