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晶体管
2SD1330
NPN硅外延平面型
用于低电压输出放大
静音
用于DC-DC转换器
0.4
单位:mm
6.9±0.1
1.5
1.5 R0.9
R0.9
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
2.5±0.1
1.0
1.0
q
q
q
R
0.
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
25
20
12
1
0.5
600
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
2.5
2.5
3
2
1
EIAJ : SC- 71
M型模具包
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
ON resistanse
*1
h
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
R
on*3
*3
R
on
条件
V
CB
= 25V ,我
C
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
*2
I
C
= 0.5A ,我
B
= 20mA下
I
C
= 0.5A ,我
B
= 50毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
典型值
1.25±0.05
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
低导通电阻R
on
.
高盼着电流传输比H
FE
.
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
1.0±0.1
0.85
0.55±0.1
0.45±0.05
最大
100
4.1±0.2
4.5±0.1
s
特点
7
单位
nA
V
V
V
25
20
12
200
60
0.13
0.4
1.2
200
10
1.0
*2
800
V
V
兆赫
pF
脉冲测量
FE1
等级分类
R
200 ~ 350
S
300 ~ 500
T
400 ~ 800
测量电路
1k
h
FE1
I
B
=1mA
f=1kHz
V=0.3V
V
B
V
V
V
A
R
on
=
V
B
!1000()
V
A
–V
B
1
晶体管
P
C
- TA
1000
1.2
I
B
=4.0mA
800
1.0
Ta=25C
3.5mA
3.0mA
0.8
2.5mA
2.0mA
0.6
1.5mA
0.4
1.0mA
0.5mA
0.2
2SD1330
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=75C
25C
–25C
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=25
集电极耗散功率P
C
( mW)的
600
400
200
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
集电极电流I
C
(A)
0
0
1
2
3
4
5
6
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
1200
V
CE
=2V
400
f
T
— I
E
V
CB
=10V
Ta=25C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
1000
过渡频率f
T
(兆赫)
0.3
1
3
10
30
10
3
25C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
75C
正向电流传输比H
FE
350
300
250
200
150
100
50
800
Ta=75C
600
25C
–25C
400
200
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
C
ob
— V
CB
24
R
on
— I
B
I
E
=0
Ta=25C
f=1MHz
1000
300
R
on
测量电路
I
B
=1mA
集电极输出电容C
ob
(PF )
20
在阻抗R
on
(
)
100
30
10
3
1
0.3
V
B
V
V
A
16
f=1kHz
V=0.3V
12
8
4
0
1
3
10
30
100
0.1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极基极电压V
CB
(V)
基极电流I
B
(MA )
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因,本资料中的任何信息,如可用的
产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
9100
贴◆插
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