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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1313
描述
·带
TO -3PL包
高
功耗
高
集电极电流
高
高速开关
ULOW
饱和电压
应用
高
功率放大器的应用
高
电源开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
Fig.1简化外形（ TO- 3PL）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
800
350
7
25
35
10
15
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 15A ;我
B
=3A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 25A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
f=1MHz;V
CB
=50V,f=1MHz
15
6
6
民
350
2SD1313
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.7
1
1
V
V
mA
mA
兆赫
pF
170
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 15A ;我
B1
=-I
B2
=3A
V
CC
≈200V,R
L
=13.3Ω
0.8
3.0
0.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1313
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.50毫米）
3
A
A
A
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2225SC683KAZ1A
2.35002E+11
2SB515
25AA080C-I/SN
250JB05L
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单价/备注
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36200
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2SD1313
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