【SavantIC半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2SD1276 2SD12】,IC型号2SD1276,2SD1276 PDF资料,2SD1276经销商,ic,电子元器件-51电子网

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

描述

·采用TO- 220Fa包

·补键入2SB950

/950A

·高直流电流增益

·高速开关

应用

·对于功率放大

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2SD1276

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD1276A

2SD1276

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1276A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

C

=25

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2

150

-55~150

集电极开路

开基

80

5

4

8

40

W

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD1276

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1276A

I

C

= 3A ，我

B

=12mA

I

C

= 5A ;我

B

=20mA

V

CE

= 3V ;我

C

=3A

2SD1276

2SD1276A

2SD1276

2SD1276A

V

CB

= 60V ;我

E

=0

0.2

V

CB

= 80V ;我

E

=0

V

CE

= 30V ;我

B

=0

0.5

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=0.5V

I

C

= 3A ; V

CE

=3V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1MHz

1000

2000

20

10000

兆赫

2

mA

80

2

4

2.5

V

条件

民

60

V

典型值。

最大

单位

符号

V

（ BR ） CEO

V

CEsat-1

V

CEsat-

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集热器

截止电流

I

CBO

I

首席执行官

集热器

截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 2A ，我

B1

=8mA

I

B2

=-8mA;V

CC

=50V

0.5

4

1

s

h

FE-2

分类

Q

2000-5000

R

4000-10000

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

包装外形

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

功率晶体管

2SB950 ， 2SB950A

PNP硅外延平面型达林顿

4.2±0.2

对于功率放大和开关

补充2SD1276和2SD1276A

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

单位：mm

7.5±0.2

s

特点

q

高盼着电流传输比H

FE

高速开关

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

(T

C

=25C)

评级

–60

–80

–60

–80

–5

–8

–4

40

2

150

-55到+150

单位

V

16.7±0.3

φ3.1±0.1

14.0±0.5

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SB950

2SB950A

2SB950

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

4.0

1.4±0.1

1.3±0.2

浸焊

0.5

–0.1

0.8±0.1

+0.2

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

发射极电压2SB950A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

A

W

C

B

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

3

内部连接

C

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SB950

2SB950A

2SB950

2SB950A

2SB950

2SB950A

E

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

V

BE

V

CE(sat)1

V

CE(sat)2

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CB

= -60V ，我

E

= 0

V

CB

= -80V ，我

E

= 0

V

CE

= -30V ，我

B

= 0

V

CE

= -40V ，我

B

= 0

V

EB

= -5V ，我

C

= 0

I

C

= -30mA ，我

B

= 0

V

CE

= -3V ，我

C

= – 0.5A

V

CE

= -3V ，我

C

= –3A

V

CE

= -3V ，我

C

= –3A

I

C

= -3A ，我

B

= -12mA

I

C

= -5A ，我

B

= -20mA

V

CE

= -10V ，我

C

= - 0.5A ， F = 1MHz的

I

C

= -3A ，我

B1

= -12mA ，我

B2

= 12毫安，

V

CC

= –50V

20

0.3

2

0.5

–60

–80

1000

2000

10000

–2.5

–2

–4

V

兆赫

s

民

典型值

最大

–200

–500

–2

单位

A

mA

V

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE2

等级分类

Q

P

2000 5000 4000 10000

秩

h

FE2

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

–6

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2W)

T

C

=25C

–5

I

B

=–3.0mA

–2.5mA

–2.0mA

–1.5mA

–1.0mA

- 0.5毫安

–3

= 0.4毫安

= 0.3毫安

= 0.2毫安

–1

2SB950 ， 2SB950A

I

C

— V

CE

–10

V

CE

=–3V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

–4

集电极电流I

C

(A)

40

–8

30

–6

T

C

=100C

–4

25C

–25C

(1)

20

–2

10

(3)

(4)

0

20

40

60

(2)

–2

0

80 100 120 140 160

0

–1

–2

–3

–4

–5

0

– 0.8

–1.6

–2.4

–3.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

I

C

/I

B

=250

–30

–10

–3

–1

T

C

=100C

25C

–25C

10

6

h

FE

— I

C

10000

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=–3V

I

E

=0

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

3000

1000

300

100

30

10

3

1

– 0.1 – 0.3

10

5

T

C

=100C

10

4

25C

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–25C

10

3

–1

–3

–10

10

2

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极基极电压V

CB

(V)

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

I

CP

I

C

t=1ms

10ms

DC

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

2

–10

–3

–1

10

(2)

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

–1

1

2SB950A

10

–1

2SB950

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

功率晶体管

2SD1276 ， 2SD1276A

硅NPN三重扩散平面型达林顿

0.7±0.1

进行功率放大

补充2SB950和2SB950A

单位：mm

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

4.2±0.2

q

14.0±0.5

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1276

2SD1276A

2SD1276

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

16.7±0.3

q

高盼着电流传输比H

FE

高速开关

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

(T

C

=25C)

评级

60

80

60

80

5

8

4

40

2

150

-55到+150

单位

V

发射极电压2SD1276A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

A

W

C

B

浸焊

4.0

7.5±0.2

s

特点

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

3

内部连接

C

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SD1276

2SD1276A

2SD1276

2SD1276A

2SD1276

2SD1276A

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CB

= 60V ，我

E

= 0

V

CB

= 80V ，我

E

= 0

V

CE

= 30V ，我

B

= 0

V

CE

= 40V ，我

B

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

I

C

= 30mA时我

B

= 0

V

CE

= 3V ，我

C

= 0.5A

V

CE

= 3V ，我

C

= 3A

I

C

= 3A ，我

B

= 12毫安

I

C

= 5A ，我

B

= 20mA下

V

CE

= 3V ，我

C

= 3A

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A ， F = 1MHz的

I

C

= 3A ，我

B1

= 12毫安，我

B2

= -12mA ，

V

CC

= 50V

20

0.5

4

1

60

80

1000

2000

民

典型值

E

最大

200

500

2

单位

A

mA

V

正向电流传输比

10000

2

4

2.5

V

兆赫

s

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE2

等级分类

Q

P

2000 5000 4000 10000

秩

h

FE2

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

10

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2W)

T

C

=25C

I

B

=4.0mA

2SD1276 ， 2SD1276A

I

C

— V

CE

10

V

CE

=3V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

40

(1)

8

30

6

3.5mA

3.0mA

2.5mA

2.0mA

1.5mA

1.0mA

0.5mA

8

25C

6

T

C

=100C

–25C

20

4

10

(2)

(3)

(4)

2

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

2

4

6

8

10

0

0.8

1.6

2.4

3.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

I

C

/I

B

=250

30

10

3

1 T

C

=100C

–25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

25C

10

5

h

FE

— I

C

10000

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=3V

I

E

=0

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

3000

1000

300

100

30

10

3

1

0.1

T

C

=100C

10

4

25C

–25C

10

3

10

2

0.1

0.3

1

3

10

0.01 0.03

0.1

0.3

1

3

10

0.3

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极基极电压V

CB

(V)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10 I

CP

t=1ms

3 I

C

10ms

1

DC

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

10

2

10

(2)

1

2SD1276A

2SD1276

10

–1

100

300

1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

描述

·带

TO- 220Fa包

.Complement

键入2SB950 / 950A

高

直流电流增益

- 高速

开关

应用

For

功率放大

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

V

CBO

V

首席执行官

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

2SD1276

集电极 - 基极电压

发射极开路

2SD1276A

2SD1276

集电极 - 发射极电压

开基

2SD1276A

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

C

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

60

80

60

单位

V

80

5

4

8

40

W

2

150

-55~150

℃

V

A

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD1276

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1276A

I

C

= 3A ，我

B

=12mA

I

C

= 5A ;我

B

=20mA

V

CE

= 3V ;我

C

=3A

2SD1276

2SD1276A

2SD1276

2SD1276A

V

CB

= 60V ;我

E

=0

0.2

V

CB

= 80V ;我

E

=0

V

CE

= 30V ;我

B

=0

0.5

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

mA

80

2

4

2.5

V

条件

民

60

V

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

V

CEsat-1

V

CEsat-

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集热器

截止电流

I

CBO

I

首席执行官

集热器

截止电流

发射极截止电流

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

开关时间

t

on

t

s

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

直流电流增益

I

C

= 3A ; V

CE

=0.5V

I

C

= 3A ; V

CE

=3V

跃迁频率

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1MHz

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 2A ，我

B1

=8mA

I

B2

=-8mA;V

CC

=50V

1000

OR

CT

U

2

10000

20

mA

2000

兆赫

0.5

4

1

μs

h

FE-2

分类

Q

2000-5000

R

4000-10000

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

包装外形

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

描述

·带

TO- 220Fa包

.Complement

键入2SB950

和2SB950A

高

正向电流传输比H

FE

- 高速

开关

应用

For

功率放大

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

在Tc = 25绝对最大额定值

℃

符号

V

CBO

参数

2SD1276

集电极 - 基极电压

2SD1276A

2SD1276

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1276A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2

150

-55~150

℃

集电极开路

开基

80

5

4

8

40

W

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

首席执行官

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD1276

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1276A

I

C

= 3A我

B

=12mA

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 5A我

B

=20mA

V

BE

基射极电压

2SD1276

I

CBO

集电极截止电流

2SD1276A

2SD1276

I

首席执行官

集电极截止电流

2SD1276A

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

V

CE

= 40V我

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=0.5V

I

C

= 3A ; V

CE

=3V

I

C

=0.5A;

V

CE

=10V;f=1MHz

1000

2000

20

10000

兆赫

0.5

2

mA

V

CB

= 80V我

E

=0

V

CE

= 30V我

B

=0

0.2

0.5

mA

V

CE

= 3V I

C

=3A

V

CB

= 60V我

E

=0

4

2.5

0.2

V

mA

80

2

V

条件

民

60

典型值。

最大

单位

V

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 2A ，我

B1

=8mA

I

B2

=-8mA;V

CC

=50V

0.5

4

1

μs

h

FE-2

分类

Q

2000-5000

R

4000-10000

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

包装外形

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

JMnic

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

描述

·带

TO- 220Fa包

.Complement

键入2SB950 / 950A

高

直流电流增益

- 高速

开关

应用

For

功率放大

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SD1276

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD1276A

2SD1276

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1276A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2

150

-55~150

℃

集电极开路

开基

80

5

4

8

40

W

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD1276

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1276A

I

C

= 3A ，我

B

=12mA

I

C

= 5A ;我

B

=20mA

V

CE

= 3V ;我

C

=3A

2SD1276

2SD1276A

2SD1276

2SD1276A

V

CB

= 60V ;我

E

=0

0.2

V

CB

= 80V ;我

E

=0

V

CE

= 30V ;我

B

=0

0.5

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=0.5V

I

C

= 3A ; V

CE

=3V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1MHz

1000

2000

20

10000

兆赫

2

mA

80

2

4

2.5

V

条件

民

60

V

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

V

CEsat-1

V

CEsat-

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集热器

截止电流

I

CBO

I

首席执行官

集热器

截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 2A ，我

B1

=8mA

I

B2

=-8mA;V

CC

=50V

0.5

4

1

μs

h

FE-2

分类

Q

2000-5000

R

4000-10000

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1276 2SD1276A

包装外形

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3