【功率晶体管2SD1257 ， 2SD1257ANPN硅外延平面型对于开关电源补充2SB93410.0】,IC型号2SD1257A,2SD1257A PDF资料,2SD1257A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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功率晶体管

2SD1257 ， 2SD1257A

NPN硅外延平面型

对于开关电源

补充2SB934

10.0±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

3.4±0.3

单位：mm

1.0±0.1

s

特点

q

q

q

q

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

的盼着电流传输比H良好的线性

FE

大的集电极电流I

C

N型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

(T

C

=25C)

评级

130

150

80

100

7

15

7

40

1.3

150

-55到+150

单位

V

1.5±0.1

1.5max.

1.1max.

10.5min.

2.0

0.8±0.1

0.5max.

2.54±0.3

5.08±0.5

1

2

3

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1257

2SD1257A

2SD1257

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型套餐

单位：mm

3.4±0.3

1.0±0.1

8.5±0.2

6.0±0.3

10.0±0.3

发射极电压2SD1257A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

V

A

A

W

C

C

1.5

–0.4

2.0

3.0

–0.2

4.4±0.5

0.8±0.1

2.54±0.3

R0.5

R0.5

1.1最大。

00.4

5.08±0.5

1

2

3

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型封装（ DS ）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SD1257

2SD1257A

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CB

= 100V ，我

E

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

V

CE

= 2V ，我

C

= 0.1A

V

CE

= 2V ，我

C

= 3A

I

C

= 5A ，我

B

= 0.25A

I

C

= 5A ，我

B

= 0.25A

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A ， F = 10MHz时

I

C

= 3A ，我

B1

= 0.3A ，我

B2

= – 0.3A,

V

CC

= 50V

30

0.5

1.5

0.1

80

100

45

60

260

0.5

1.5

V

V

兆赫

s

s

s

民

典型值

最大

10

50

单位

A

A

V

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE2

等级分类

R

60至120

Q

90至180

P

130 260

秩

h

FE2

4.4±0.5

14.7±0.5

+0.4

+0

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

10

(1) T

C

= TA

（2）在一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

(P

C

=1.3W)

T

C

=25C

2SD1257 ， 2SD1257A

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10

V

CE （ SAT ）

— I

C

(1) I

C

/I

B

=10

(2) I

C

/I

B

=20

T

C

=25C

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

40

(1)

8

I

B

=55mA

6

50mA

45mA

40mA

35mA

30mA

20mA

15mA

2

10mA

5mA

0

3

30

1

(2)

(1)

0.3

20

4

0.1

10

(2)

(3)

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0.03

0

2

4

6

8

10

12

0.01

0.01

0.03

0.1

0.3

1

3

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

V

BE （ SAT ）

— I

C

100

V

BE （ SAT ）

— I

C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=20

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

T

C

=–25C

100C

25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=20

30

10

3

1

T

C

=100C

0.3

0.1

–25C

0.03

0.01

0.01 0.03

25C

10

(1) I

C

/I

B

=10

(2) I

C

/I

B

=20

T

C

=25C

3

(1)

(2)

1

0.3

0.1

0.03

0.1

0.3

1

3

10

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

h

FE

— I

C

10000

V

CE

=2V

10000

3000

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

f

T

— I

C

10000

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=10V

f=10MHz

T

C

=25C

I

E

=0

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

300

过渡频率f

T

（兆赫）

3000

3000

1000

300

100

30

10

3

1

0.1

T

C

=100C

25C

100

–25C

30

10

3

1

0.01 0.03

0.1

0.3

1

3

10

0.1

0.3

1

3

10

0.3

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极基极电压V

CB

(V)

2

功率晶体管

t

on

, t

英镑

, t

f

— I

C

100

30

脉冲吨

w

=1ms

占空比= 1 ％

I

C

/I

B

=10(I

B1

=–I

B2

)

V

CC

=50V

T

C

=25C

2SD1257 ， 2SD1257A

安全操作区（ ASO ）

100

30

非重复脉冲

T

C

=25C

I

CP

t=0.5ms

开关时间t

on

,t

英镑

,t

f

(

s

)

集电极电流I

C

(A)

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0

1

2

3

4

10 I

C

3

1

1ms

0.3

0.1

0.03

0.01

10ms

300ms

t

英镑

t

on

t

f

5

6

7

8

1

3

10

30

100

2SD1257A

2SD1257

300

1000

集电极电流I

C

(A)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

R

日（T ）

— t

10

3

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

×

50

×

2毫米铝散热片

(1)

(2)

10

热阻R

th

（吨）（ C / W）

10

2

1

10

–1

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

时间t （S ）

3

SMD型

NPN硅外延平面型

2SD1257,2SD1257A

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

晶体管

单位：mm

+0.1

2.30

-0.1

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）。

正向电流传输比的hFE良好的线性。

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

6.50

-0.15

+0.2

5.30

-0.2

0.50

+0.8

-0.7

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

大的集电极电流I

C.

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

2SD1257

2SD1257A

集电极 - 发射极电压

2SD1257

2SD1257A

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散功率

TA = 25

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

V

首席执行官

符号

V

CBO

等级

130

150

80

100

7

7

15

1.3

40

结温

储存温度

150

-55到+150

单位

V

V

V

V

V

A

A

W

W

3

.8

0

www.kexin.com.cn

1

SMD型

2SD1257,2SD1257A

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 发射极电压

2SD1257

2SD1257A

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

正向电流传输比

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CB

= 100 V，I

E

= 0

V

EB

= 5 V，I

C

= 0

V

CE

= 2 V，I

C

= 3 A

V

CE

= 2 V，I

C

= 0.1A

V

CE （ SAT ）

I

C

= 5 A，I

B

= 0.25 A

V

BE （ SAT ）

I

C

= 5 A，I

B

= 0.25 A

f

T

t

on

t

英镑

t

f

V

CE

= 10 V，I

C

= 0.5 A ， F = 10 MHz的

I

C

=3A

I

B1

=-I

B2

=0.3 A

V

CC

=50V

符号

V

首席执行官

Testconditons

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

晶体管

民

80

100

典型值

最大

单位

V

V

10

50

90

45

0.5

1.5

30

0.5

1.5

0.1

260

ìA

ìA

V

V

兆赫

ìs

ìs

ìs

h

FE

分类

秩

h

FE

Q

90 180

P

130 260

2

www.kexin.com.cn

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SD1257,2SD1257A

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

+0.1

2.30

-0.1

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）。

正向电流传输比的hFE良好的线性。

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

6.50

-0.15

+0.2

5.30

-0.2

0.50

+0.8

-0.7

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

大的集电极电流I

C.

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

2SD1257

2SD1257A

集电极 - 发射极电压

2SD1257

2SD1257A

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散功率

TA = 25

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

V

首席执行官

符号

V

CBO

等级

130

150

80

100

7

7

15

1.3

40

结温

储存温度

150

-55到+150

单位

V

V

V

V

V

A

A

W

W

3

.8

0

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SD1257,2SD1257A

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 发射极电压

2SD1257

2SD1257A

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

正向电流传输比

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CB

= 100 V，I

E

= 0

V

EB

= 5 V，I

C

= 0

V

CE

= 2 V，I

C

= 3 A

V

CE

= 2 V，I

C

= 0.1A

V

CE （ SAT ）

I

C

= 5 A，I

B

= 0.25 A

V

BE （ SAT ）

I

C

= 5 A，I

B

= 0.25 A

f

T

t

on

t

英镑

t

f

V

CE

= 10 V，I

C

= 0.5 A ， F = 10 MHz的

I

C

=3A

I

B1

=-I

B2

=0.3 A

V

CC

=50V

30

0.5

1.5

0.1

90

45

0.5

1.5

V

V

兆赫

ìs

ìs

ìs

符号

V

首席执行官

Testconditons

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

民

80

100

10

50

260

典型值

最大

单位

V

V

ìA

ìA

h

FE

分类

秩

h

FE

Q

90 180

P

130 260

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2 2

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