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功率晶体管
2SB932
PNP硅外延平面型
对于开关电源
补充2SD1255
10.0±0.3
1.5±0.1
8.5±0.2
6.0±0.5
3.4±0.3
单位:mm
1.0±0.1
s
特点
q
q
q
q
1.5max.
1.1max.
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
N型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板,小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
–130
–80
–7
–8
–4
35
1.3
150
-55到+150
单位
V
10.5min.
2.0
0.8±0.1
0.5max.
2.54±0.3
5.08±0.5
1
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N型套餐
单位:mm
3.4±0.3
1.0±0.1
8.5±0.2
6.0±0.3
1.5
–0.4
A
2.0
3.0
–0.2
A
W
4.4±0.5
0.8±0.1
2.54±0.3
R0.5
R0.5
1.1最大。
00.4
5.08±0.5
C
C
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N型封装( DS )
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -1A ,我
B1
= - 0.1A ,我
B2
= 0.1A
条件
V
CB
= -100V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -10mA ,我
B
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= – 0.1A
V
CE
= -2V ,我
C
= –1A
I
C
= -3A ,我
B
= – 0.15A
I
C
= -3A ,我
B
= – 0.15A
V
CE
= -10V ,我
C
= - 0.5A , F = 10MHz时
30
0.15
0.8
0.15
–80
45
90
260
– 0.5
–1.5
V
V
兆赫
s
s
s
典型值
最大
–10
–50
单位
A
A
V
FE2
等级分类
Q
90至180
P
130 260
h
FE2
4.4±0.5
14.7±0.5
V
10.0±0.3
V
+0.4
+0
1
功率晶体管
P
C
- TA
40
2SB932
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–6
T
C
=25C
I
B
=–100mA
–90mA
–80mA
–70mA
–60mA
–50mA
–40mA
–3
–30mA
–2
–20mA
–100
I
C
/I
B
=20
–30
–10
–3
–1
25C
T
C
=100C
–25C
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
35
30
25
20
15
10
5
0
0
(1)
集电极电流I
C
(A)
(1) T
C
= TA
(2)在一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=1.3W)
–5
–4
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–8mA
–1
–5mA
0
(2)
(3)
20
40
60
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–3
–10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
— I
C
–100
10000
I
C
/I
B
=20
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–2V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
正向电流传输比H
FE
–10
–3
–1
T
C
=–25C
100C
25C
1000
300
100
–25C
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25C
T
C
=100C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
(兆赫)
–1
–3
–10
–30
3000
–1
–3
–10
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
10000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=30
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
安全操作区( ASO )
–100
–30
非重复脉冲
T
C
=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
3000
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
集电极电流I
C
(A)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
–10
–3
–1
I
CP
I
C
t=0.5ms
10ms
1ms
t
英镑
t
on
t
f
– 0.3
– 0.1
DC
– 0.03
– 0.01
–1
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.8
–1.6
–2.4
–3.2
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
— t
10
3
( 1 )不带散热片
(2)在一个50
×
50
×
2毫米铝散热片
(1)
(2)
10
2SB932
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
2
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
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