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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1197
描述
·带
TO- 3PN封装
高
直流电流增益。
●大
电流容量和广泛的ASO 。
ULOW
饱和电压
·达林顿
.Complement
键入2SB887
应用
Motor
驱动程序，打印机驱动程序锤，
继电器驱动器，电压调节器控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
100
6
10
15
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1197
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
I
C
= 50毫安; R
BE
=
∞
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
C
= 5A ;我
B
=10mA
I
C
= 5A ;我
B
=10mA
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
1500
4000
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
集电极 - 发射极击穿电压
100
V
集电极 - 基极击穿电压
110
V
集电极 - 发射极饱和电压
0.9
1.5
V
基射极饱和电压
2.0
V
集电极截止电流
0.1
mA
发射极截止电流
3.0
mA
直流电流增益
跃迁频率
20
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1197
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
高
直流电流增益。
●大
电流容量和广泛的ASO 。
ULOW
饱和电压。
应用
Motor
驱动程序，打印机驱动程序锤，继电器
驱动器，电压调节器的控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SD1197
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
100
6
10
15
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SD1197
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 50毫安; R
BE
=
∞
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
C
= 5A ;我
B
=10mA
I
C
= 5A ;我
B
=10mA
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
1500
4000
20
兆赫
民
100
110
1.0
1.5
2.0
0.1
3.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1197
图2外形尺寸
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1197
描述
·采用TO- 3PN封装
·高直流电流增益。
·大电流容量，广ASO 。
·低饱和电压
·达林顿
·补键入2SB887
应用
·马达驱动程序，打印机驱动程序锤，
继电器驱动器，电压调节器控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
100
6
10
15
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1197
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
I
C
= 50毫安; R
BE
=
=
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
C
= 5A ;我
B
=10mA
I
C
= 5A ;我
B
=10mA
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
1500
4000
民
典型值。
最大
单位
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
集电极 - 发射极击穿电压
100
V
集电极 - 基极击穿电压
110
V
集电极 - 发射极饱和电压
0.9
1.5
V
基射极饱和电压
2.0
V
集电极截止电流
0.1
mA
发射极截止电流
3.0
mA
直流电流增益
跃迁频率
20
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1197
图2外形尺寸
3
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23S120C
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225-587
2SA1483O
2SK2905-01R
233052B
248-8-08-2K5
299-93-310-10-001
2-36152-1
2SC2305
2SC4056
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