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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1185
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
高
高速开关
应用
“权力
切换应用程序
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1200
800
6
5
7
50
150
-45~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD1185
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安，我
C
=0
6
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安; R
BE
=∞
800
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
1.5
V
I
CES
集电极截止电流
V
CE
= 1200V ;
BE
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
10
30
开关时间
t
f
下降时间
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
=-2A
1.0
μs
t
s
贮存时间
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1185
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1186
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
·高速开关
应用
·电源开关应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
6
5
7
50
150
-45~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SD1186
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安，我
C
=0
6
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安; R
BE
=7
800
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
1.5
V
I
CES
集电极截止电流
V
CE
= 1500V ;
BE
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
10
30
开关时间
t
f
下降时间
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
=-2A
1.0
s
t
s
贮存时间
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1186
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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28SFR12D
20LCT
295S220F253C32
251B000253A1TB
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型号
厂家
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