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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1180
描述
·带
TO- 126封装
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
在音频和无线电使用
频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
120
110
5
1.5
2.5
1.2
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 100μA ;我
E
=0
I
E
= 100μA ;我
C
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 150毫安; V
CE
=5V
100
民
2SD1180
典型值。
110
120
5
最大
单位
V
V
V
0.7
1.3
1.0
1.0
V
V
μA
μA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1180
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1180
描述
·采用TO- 126封装
·低集电极饱和电压
应用
·专为音频和无线电使用
频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
120
110
5
1.5
2.5
1.2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 100μA ;我
E
=0
I
E
= 100μA ;我
C
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 150毫安; V
CE
=5V
100
民
2SD1180
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
110
120
5
最大
单位
V
V
V
0.7
1.3
1.0
1.0
V
V
A
A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1180
图2外形尺寸
3
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24LC21T-/SN
253C124C45NB
2S54-510
25TWL22M5X11
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2SD993
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