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2SD1177
NPN硅外延
应用
低频功率放大器互补对与2SB874
概要
TO- 126 MOD
1
1.发射器
2.收集
3. BASE
2
3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
*
Tj
TSTG
1
等级
100
60
5
2
3
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2SD1177
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
100
60
5
1
典型值
0.35
230
50
最大
1
1
200
1.4
1.0
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 1毫安,我
E
= 0
I
C
= 10毫安,R
BE
=
I
E
= 1毫安,我
C
= 0
V
CB
= 80 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.5 A*
V
CE
= 5 V,I
C
= 2 A*
2
2
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
*
h
FE2
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
V
BE
V
CE (SAT)
f
T
COB
60
40
V
V
兆赫
pF
V
CE
= 5 V,I
C
= 2 A*
2
I
C
= 1.5 V,I
B
= 0.15 A*
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.5 A*
2
2
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
1. 2SD1177用h分组
FE1
如下。
2.脉冲测试。
C
100至200
B
60至120
2
2SD1177
最大集电极耗散曲线
30
集电极耗散功率PC( W)
20
10
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
安全工作区
150
10
( 10 V , 3 A) ( 13.3 V, 3 A)
3
( 10 V , 2 A)
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
2
T
C
= 25°C
5
10
20
50 100 200
集电极到发射极电压V
CE
(V)
( 20 V , 1 A)
集电极电流I
C
(A)
( 20 V , 1.5 A)
( 30 V , 1.33 A)
PW
=1
ms
DC
10毫秒
( 60 V , 0.25 A)
( 60 V , 0.25 A)
( 60 V , 0.1 A)
3
2SD1177
典型的输出特性
0.2
10 9 8
7
6
集电极电流I
C
(A)
0.2
5
0.2
4
3
0.2
2
0.2
1毫安
I
B
= 0
0
T
C
= 25°C
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
1,000
V
CE
= 5 V
直流电流传输比H
FE
500
T
C
= 75°C
200
100
50
–25°C
25°C
20
10
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0
集电极电流I
C
(A)
2
4
2SD1177
典型的传输特性
2
V
CE
= 5 V
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.5
T
C
= –25°C
25°C
75°C
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
1.5
集电极到发射极饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
1.0
0.5
T
C
= 75°C
25°C
0.2
I
C
/I
B
= 10
0.1
0.05
–25°C
0.02
0.01
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0
集电极电流I
C
(A)
2
5
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