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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1162
描述
高
直流电流GAIN-
:
h
FE
= 400(Min.)@I
C
= 2A
高
开关速度
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
为高电压，低速开关的工业
使用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
价值
500
300
10
5
10
0.5
40
单位
V
V
V
A
A
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
1.5
150
-55~150
W
℃
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD1162
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
300
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 5毫安
B
1.5
V
V
BE （
SAT
)
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 5毫安
B
2.0
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 400V ;我
E
= 0
10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
= 2V
400
3000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
100
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= 3A ;我
B1
= -I
B2
= 30毫安;
R
L
= 50Ω,V
CC
≈150V
1.0
t
s
贮存时间
12
μs
t
f
下降时间
6
μs
h
FE-1
分类
M
400-800
L
600-1200
K
1000-3000
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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2N2906AUB
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254992
2N938
20022HS-14S00
24LC256T-E/STG
供货商
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厂家
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封装
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操作
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