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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1110
描述
·采用TO- 3PFa包
·补键入2SB849
·安全运行的广域
应用
·对于低频功率使用
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（T
C
=25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
120
120
7
7
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 20mA下; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.2A ; V
CE
=5V
20
40
民
120
2SD1110
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
2.0
2.0
50
50
V
V
A
A
200
190
15
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1110
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1110
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 120V （最小值）
良好
h的线性度
FE
.Complement
到类型2SB849
应用
·设计
对于音频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
120
V
120
V
5
V
7
A
12
A
80
W
I
C
集电极电流连续
I
CP
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD1110
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5.0A ;我
B
= 0.5A
2.0
V
V
BE
（SAT）
I
CBO
基地发射极饱和电压
I
C
= 5.0A ;我
B
= 0.5A
2.0
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
50
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3V ;我
C
= 0
50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5V
20
h
FE-2
直流电流增益
C
OB
输出电容
f
T
电流增益带宽积
h
FE-2
分类
S
40-80
R
60-120
w
Q
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
40
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 5V
200
190
pF
15
兆赫
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1110
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 120V （最小值）
良好
h的线性度
FE
.Complement
到类型2SB849
应用
·设计
对于音频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
120
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
120
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流连续
7
A
I
CP
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
12
A
P
C
80
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD1110
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5.0A ;我
B
= 0.5A
2.0
V
V
BE
（SAT）
I
CBO
基地发射极饱和电压
I
C
= 5.0A ;我
B
= 0.5A
2.0
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
50
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3V ;我
C
= 0
50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5V
20
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
40
200
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 5V
190
pF
f
T
电流增益带宽积
15
兆赫
h
FE-2
分类
S
40-80
R
60-120
Q
100-200
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27C64-20P
20021311-00010T1LF
24FC65-I/P
24FC65I/P
2SJ633
2N4425
2SB0932P
2MBI200NB-120
2SC5300
2SB0929AP
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