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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1064
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入2SB828
ùWide
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
·继电器
司机，
- 高速
逆变器，
·转换器，
■一般
大电流开关应用
.
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流 - 峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
50
6
12
17
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1064
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 1毫安; R
BE
=
∞
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
70
30
10
兆赫
民
50
60
6
0.4
0.1
0.1
280
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A ;我
B1
=-I
B2
=0.5A
V
CC
=20V;R
L
=4Ω
0.1
0.05
1.2
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1064
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1064
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1064
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入2SB828
·安全运行的广域
·低集电极饱和电压
应用
·继电器驱动器，
·高速逆变器，
·转换器，
·一般高电流开关应用
.
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流 - 峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
50
6
12
17
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1064
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 1毫安; R
BE
=
＆ GT ;
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
70
30
10
兆赫
民
50
60
6
0.4
0.1
0.1
280
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A ;我
B1
=-I
B2
=0.5A
V
CC
=20V;R
L
=4D
0.1
0.05
1.2
s
s
s
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1064
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1064
4
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253A203B45NA
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2SD1236Q
201C62ES
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2SK2401_06
2020-6618-30
2N7106
2N3637UB
25C320
供货商
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联系人：刘经理
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