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A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
·补键入2SB826
·安全运行的广域
应用
·继电器驱动器，
·高速逆变器，
·转换器
·一般高电流开关
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SD1062
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
50
6
12
15
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 1毫安; R
BE
？ ＆ LT ;
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
V
CB
=40V;I
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
70
30
民
50
60
6
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
2SD1062
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.4
0.1
0.1
280
V
mA
mA
10
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A我
B1
=- I
B2
=0.5A
0.10
0.05
1.20
s
s
s
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1062
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1062
4
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SB826
ùWide
安全工作区
应用
·继电器
司机，
- 高速
逆变器，
·转换器
■一般
大电流切换
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SD1062
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
50
6
12
15
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 1毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
V
CB
=40V;I
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
70
30
10
民
50
60
6
典型值。
2SD1062
最大
单位
V
V
V
0.4
0.1
0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A我
B1
=- I
B2
=0.5A
0.10
0.05
1.20
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1062
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SB826
ùWide
安全工作区
应用
·继电器
司机，
- 高速
逆变器，
·转换器
■一般
大电流切换
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SD1062
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
50
6
12
15
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 1毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
V
CB
=40V;I
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
70
30
10
民
50
60
6
2SD1062
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.4
0.1
0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A我
B1
=- I
B2
=0.5A
0.10
0.05
1.20
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1062
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1062
4
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推荐型号
202D148X0100B6
22-28-7100
28-6552-10
2004-P
2004P
2SK367_07
2N3811XDCSM
2-284510-0
213848-1
27HC641-55/J
2SD2453
241NQ045PBF
259020
2SC5347AF-TD-E
25002-0902
228RZM6R3M1320
2SC3882S
22-10-2021
273-8506-011
2N869
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD1062
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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进口原装公司现货
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地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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