添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第566页 > 2SD1026
新电元
达林顿晶体管
2SD1026
(T15L10)
15A NPN
外形尺寸
案例： MTO -3P
单位：mm
评级
“绝对
最大额定值
项
储存温度
结温
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流DC
集电极电流峰值
基极电流DC
基极电流峰值
总晶体管耗散
安装力矩
符号
TSTG
Tj
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
器
条件
TC = 25 ？
(Recommended torque : 0.5N½m）
评级
-55½+150
+150
100
100
7
15
22
1
2
100
0.8
评级
最大0.1
最大0.1
最多5
民
1,500
最大30000
最大
1.5
最大2.0
最大
1.25
TYP 20
MAX 2
最多5
最多3
单位
℃
℃
V
V
V
A
A
A
A
W
N½m
单位
mA
mA
ⅵELECTRICAL
特性（TC = 25 ??）
项
符号
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
热阻
跃迁频率
启动时间
贮存时间
下降时间
条件
V
CB
=
100V
V
CE
=
100V
V
EB
= 7V
V
CE
= 3V ，我
C
=
10A
I
C
=
10A
I
B
= 20mA下
结到外壳
V
CE
=
10V,
I
C
=
1.5A
I
C
=
15A
I
B1
= I
B2
= 20mA下
R
L
= 2Ω
V
BB2
= 4V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
θJC
f
T
吨
ts
tf
V
V
℃/W
兆赫
μs
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
2SD1026
h
FE
- I
C
10000
50°C
100°C
TC = 150℃
直流电流增益
FE
1000
25°C
0°C
25°C
55°C
1
V
CE
= 3V
脉冲测量
10
22
100
0.1
集电极电流I
C
[A]
2SD1026
饱和电压
3.2
1A
3A
5A
10A
15A
22A
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1
10
100
200
3.2
2.8
I
C
=
0.5A
2.4
22A
15A
10A
3A
5A
2
1.6
1.2
I
C
=
0.5A
1A
集电极 - 发射极电压V
CE
[V]
0.4
TC = 25°C
脉冲测量
0
基极电流I
B
[马]
基极 - 发射极电压V
BE
[V]
0.8
2SD1026
10
切换时间 - 我
C
t
s
开关时间t
SW
[s]
1
t
on
t
f
I
B1
= I
C
/750
I
B2
= I
C
/750
V
BB2
= 4V
V
CC
= 50V
TC = 25°C
0
5
10
15
集电极电流I
C
[A]
2SD1026
10
切换时间 - 锝
t
s
开关时间t
SW
[s]
1
t
f
t
on
I
C
= 10A
I
B1
= 13.3毫安
I
B2
= 13.3毫安
V
BB2
= 4V
R
L
= 5
0
50
100
150
壳温度[ ° C]
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1026
描述
·采用TO- 3PN封装
·高直流电流增益
·达林顿
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
100
7
15
22
1
2
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.25
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 15A ;我
B1
=I
B2
=20mA
R
L
=2>;V
BB2
=4V
条件
I
C
= 10A ;我
B
=20mA
I
C
= 10A ;我
B
=20mA
V
CE
= 100V ;我
B
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=10V
1500
民
2SD1026
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
t
on
t
s
t
f
典型值。
最大
1.5
2.0
0.1
0.1
5
30000
单位
V
V
mA
mA
mA
20
2
5
3
兆赫
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1026
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
2SD1026
硅NPN晶体管
特点
·带
TO- 247封装
·达林顿
晶体管
B权证
绝对最大额定值TC = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
基极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
等级
100
100
7
1
15
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
TO-247
电气特性TC = 25 ℃
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
h
FE-1
h
FE-2
V
BE(sat-1)
V
BE(sat-2)
f
T
参数
集电极截止电流
集电极击穿电压
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
基射极饱和电压
基射极饱和电压
过渡frepuency在f = 1MHz的
I
C
= 1.5A ; V
CE
=10V
20
兆赫
I
C
= 10A ;我
B
=20mA
2.0
V
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
1500
30000
I
C
= 10A ;我
B
=20mA
1.5
V
I
C
= 30毫安;我
B
=0
100
V
条件
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
CE
= 100V ;我
B
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
民
典型值
最大
0.1
0.1
5
单位
mA
mA
mA
JMnic
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1026
描述
高
直流电流增益
: h
FE
= 1500 （最小） @我
C
= 10A ，V
CE
= 3V
高
集电极 - 发射极电压 - 可持续
: V
CEO （ SUS ）
= 100V （最小值）
应用
·设计
通用放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基地电流 - 连续
基地电流 - 峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
100
100
7
15
22
1
2
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
f
T
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
电流增益带宽积
直流电流增益
条件
I
C
= 0.1A ，我
B
= 0
I
C
= 10A ，我
B
= 20mA下
I
C
= 10A ，我
B
= 20mA下
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
V
CE
= 100V ，我
B
= 0
B
2SD1026
民
100
典型值。
最大
单位
V
1.5
2.0
0.1
0.1
5
20
1500
V
V
mA
mA
mA
兆赫
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
I
C
= 1.5A ; V
CE
= 10V
I
C
= 10A ; V
CE
= 3V
开关时间
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 15A ，我
B1
= -I
B2
= 20mA下;
R
L
= 2Ω;V
BB2
= 4V
2.0
5.0
3.0
μs
μs
μs
t
on
t
英镑
t
f
ISC的网站： www.iscsemi.cn
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1026
描述
·采用TO- 3PN封装
·高直流电流增益
·达林顿
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
100
7
15
22
1
2
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.25
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 15A ;我
B1
=I
B2
=20mA
R
L
=2>;V
BB2
=4V
条件
I
C
= 10A ;我
B
=20mA
I
C
= 10A ;我
B
=20mA
V
CE
= 100V ;我
B
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=10V
1500
民
2SD1026
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
t
on
t
s
t
f
典型值。
最大
1.5
2.0
0.1
0.1
5
30000
单位
V
V
mA
mA
mA
20
2
5
3
兆赫
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1026
图2外形尺寸
3
查看更多2SD1026PDF信息
推荐型号
241PC15M
2SD1701L
2N6925
26-03-3131
2SC3331T
2N3607
24AA256T-EMS
22R105C
27C64-12L
2020LX103Z6
23625
202D138X0030A5
2SC3688
2N1342
2222369250XX2
227CKS100MNU
202D168X0035B1
2SK3212-E
2SD755F
2SD1725R
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD1026
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SD1026
SHINDENGEN/新电元
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SD1026
SHINDENGE
24+
18650
TO-247
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SD1026
SHINDENGE
1932+
342
原装正品，支持实单
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SD1026
新電元
2024
20918
TO-247
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SD1026
SHI
24+
32000
TO-3P
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SD1026
新电源
2024
40289
TO-3P
原装现货上海库存！专营进口元件
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SD1026
SHINDENGE
21+
13410
TO-247
全新原装正品/质量有保证
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
2SD1026
新电源
24+
15862
TO-247
全新原装现货热卖
深圳市成源运利电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ：3003494136 复制

电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
2SD1026
新电源
23+
192
TO-247
火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SD1026
SHI
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
查询更多2SD1026供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！