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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第330页 > 2SC829
晶体管
2SC829
NPN硅外延平面型
用于高频放大
单位：mm
5.0±0.2
4.0±0.2
s
特点
q
最适用于射频放大，振荡，搅拌，和IF级
调频/调幅收音机。
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
30
20
5
30
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
13.5±0.5
5.1±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
跃迁频率
共发射极反向传输电容
反向传输阻抗
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
f
T
C
re
Z
rb
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 1mA时， F = 10.7MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= -1mA ， F = 2MHz的
民
30
20
5
70
150
230
1.3
1.6
60
250
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
*
h
FE
等级分类
B
70 ~ 160
C
110 ~ 250
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
12
Ta=25C
450
10
I
B
=100A
80A
8
60A
6
40A
50
2SC829
I
C
— V
CE
60
V
CE
=10V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
集电极电流I
C
（MA ）
400
40
25C
30
Ta=75C
20
–25C
4
2
20A
10
0
0
6
12
18
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
B
— V
BE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
120
V
CE
=10V
Ta=25C
100
100
30
10
3
1
0.3
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
B
/I
B
=10
300
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
250
Ta=75C
200
25C
150
–25C
100
基极电流I
B
(
A
)
80
60
40
25C
0.1
Ta=75C
20
–25C
0.03
0.01
0.1
50
0
0
0.6
1.2
1.8
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
— I
E
600
Ta=25C
80
Z
rb
— I
E
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
2.4
C
re
— V
CE
f=2MHz
Ta=25C
I
C
=1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
反向传输阻抗Z
rb
(
)
过渡频率f
T
（兆赫）
70
60
50
40
30
20
10
0
– 0.1
V
CB
=6V
10V
500
2.0
400
V
CB
=10V
6V
200
1.6
300
1.2
0.8
100
0.4
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
– 0.3
–1
–3
–10
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
晶体管
C
ob
— V
CB
1.6
12
y
ie
=g
ie
+ JB
ie
V
CE
=10V
2SC829
b
ie
— g
ie
0
b
re
— g
re
反向传输纳B
re
（女士）
y
re
=g
re
+ JB
re
V
CE
=10V
f=0.45MHz
10.7
25
集电极输出电容C
ob
（PF ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
10
I
E
=–1mA
f=1MHz
Ta=25C
输入纳B
ie
（女士）
10
100
– 0.5
8
58
–1.0
= 0.4毫安
–1mA
–1.5
–2mA
–4mA
58
6
25
10.7
I
E
= - 0.4毫安
–1mA
–2mA
–4mA
–7mA
f=0.45MHz
4
–2.0
2
–2.5
100
I
E
=–7mA
0
30
100
0
4
8
12
16
20
–3.0
– 0.5
– 0.4
– 0.3
– 0.2
– 0.1
0
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电导G
ie
（女士）
反向传输电导G
re
（女士）
b
fe
— g
fe
0
b
oe
— g
oe
0.45
向前转移纳B
fe
（女士）
= 0.1毫安
–0.4mA
25
100
100
58
0.45
10.7
–1mA
1.2
100
10.7
–20
输出纳B
oe
（女士）
–2mA
25
58
1.0
–4mA
100
–40
100
58
25
f=10.7MHz
0.8
58
0.6
25
0.4
10.7
0.2
f=0.45MHz
0
0.2
0.4
–7mA
–4mA
–2mA
–1mA
= 0.4毫安
I
E
= - 0.1毫安
–60
58
I
E
=–7mA
–80
–100
y
fe
=g
fe
+ JB
fe
V
CE
=10V
y
oe
=g
oe
+ JB
oe
V
CE
=10V
0.6
0.8
1.0
–120
0
20
40
60
80
100
0
正向传输导
g
fe
（女士）
输出电导G
oe
（女士）
3
晶体管
2SC0829
(2SC829)
NPN硅外延平面型
用于高频放大
5.0
±0.2
单位：mm
4.0
±0.2
最适用于射频放大，振荡，搅拌，和IF级
调频/调幅收音机
0.7
±0.1
0.7
±0.2
12.9
±0.5
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
30
400
150
55
to
+150
单位
V
V
V
2.3
±0.2
0.45
+0.15
–0.1
2.5
+0.6
–0.2
1
2 3
5.1
±0.2
0.45
+0.15
–0.1
2.5
+0.6
–0.2
■
特点
mA
mW
°C
°C
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
TO- 92 -B1包装
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
正向电流传输比
*
跃迁频率
反向传输电容
（共发射极）
反向传输阻抗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
f
T
C
re
Z
rb
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= 1
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
= 1
毫安，女
=
10.7兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
= 1
毫安，女
=
2兆赫
民
30
20
5
70
150
230
1.3
1.6
60
250
典型值
最大
单位
V
V
V
兆赫
pF
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
B
70至160
C
110至250
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年3月
SJC00098CED
1
2SC0829
P
C
T
a
500
I
C
V
CE
12
I
B
=
100
A
T
a
=
25°C
I
C
V
BE
60
V
CE
=
10 V
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
400
10
50
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
80
A
8
60
A
6
40
A
40
25°C
30
T
a
=
75°C
25°C
300
200
4
20
100
2
20
A
10
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
I
B
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
120
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
300
V
CE
=
10 V
基极电流I
B
(A)
10
正向电流传输比H
FE
100
250
T
a
=
75°C
200
25°C
150
25°C
80
60
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
40
100
20
50
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.01
0.1
1
10
100
0
0.1
1
10
100
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
I
E
600
T
a
=
25°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
Z
rb
I
E
f
=
2兆赫
T
a
=
25°C
C
re
V
CE
2.4
过渡频率f
T
（兆赫）
500
反向传输电容
C
re
（PF ）
（共发射极）
反向传输阻抗Z
rb
()
2.0
I
C
=
1毫安
f
=
10.7兆赫
T
a
=
25°C
400
V
CB
=
10 V
6V
200
1.6
300
1.2
V
CB
=
6 V
10 V
0.8
100
0.4
0
0.1
1
10
100
1
10
0
0.1
1
10
100
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2
SJC00098CED
2SC0829
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
10
100
I
E
= 1
mA
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
12
b
ie
g
ie
反向传输纳B
re
（女士）
y
ie
=
g
ie
+
jb
ie
V
CE
=
10 V
0
b
re
g
re
100
y
re
=
g
re
+
jb
re
V
CE
=
10 V
f
=
0.45兆赫
10.7
25
10
0.5
输入纳B
ie
（女士）
8
58
1.0
58
0.4毫安
1
mA
2
mA
4
mA
6
25
10.7
I
E
=
0.4毫安
1
mA
2
mA
4
mA
7
mA
f
=
0.45兆赫
0
4
8
12
16
20
1.5
4
2.0
2
2.5
100
I
E
= 7
mA
0.4
0.3
0.2
0.1
3.0
0.5
0
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电导G
ie
（女士）
反向传输电导G
re
（女士）
b
fe
g
fe
0
b
oe
g
oe
0.45
10.7
4
mA
0.1毫安
向前转移纳B
fe
（女士）
40
100
100
100
58
58
25
输出纳B
oe
（女士）
20
0.45
10.7
25
1
mA
100 58
0.4毫安
1.2
100
1.0
7
mA
4
mA
2
mA
1
mA
0.4毫安
25
0.4
10.7
0.2
I
E
=
0.1毫安
2
mA
0.8
58
0.6
25
60
58
I
E
= 7
mA
f
=
10.7兆赫
80
100
y
fe
=
g
fe
+
jb
fe
V
CE
=
10 V
120
0
0
20
40
60
80
100
f
=
0.45兆赫
0
0.2
0.4
y
oe
=
g
oe
+
jb
oe
V
CE
=
10 V
0.6
0.8
1.0
正向传输电导G
fe
（女士）
输出电导G
oe
（女士）
SJC00098CED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
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如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
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抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
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明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
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分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
晶体管
2SC829
NPN硅外延平面型
用于高频放大
单位：mm
5.0±0.2
4.0±0.2
s
特点
q
最适用于射频放大，振荡，搅拌，和IF级
调频/调幅收音机。
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
30
20
5
30
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
13.5±0.5
5.1±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
跃迁频率
共发射极反向传输电容
反向传输阻抗
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
f
T
C
re
Z
rb
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 1mA时， F = 10.7MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= -1mA ， F = 2MHz的
民
30
20
5
70
150
230
1.3
1.6
60
250
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
*
h
FE
等级分类
B
70 ~ 160
C
110 ~ 250
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
12
Ta=25C
450
10
I
B
=100A
80A
8
60A
6
40A
50
2SC829
I
C
— V
CE
60
V
CE
=10V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
集电极电流I
C
（MA ）
400
40
25C
30
Ta=75C
20
–25C
4
2
20A
10
0
0
6
12
18
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
B
— V
BE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
120
V
CE
=10V
Ta=25C
100
100
30
10
3
1
0.3
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
B
/I
B
=10
300
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
250
Ta=75C
200
25C
150
–25C
100
基极电流I
B
(
A
)
80
60
40
25C
0.1
Ta=75C
20
–25C
0.03
0.01
0.1
50
0
0
0.6
1.2
1.8
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
— I
E
600
Ta=25C
80
Z
rb
— I
E
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
2.4
C
re
— V
CE
f=2MHz
Ta=25C
I
C
=1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
反向传输阻抗Z
rb
(
)
过渡频率f
T
（兆赫）
70
60
50
40
30
20
10
0
– 0.1
V
CB
=6V
10V
500
2.0
400
V
CB
=10V
6V
200
1.6
300
1.2
0.8
100
0.4
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
– 0.3
–1
–3
–10
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
晶体管
C
ob
— V
CB
1.6
12
y
ie
=g
ie
+ JB
ie
V
CE
=10V
2SC829
b
ie
— g
ie
0
b
re
— g
re
反向传输纳B
re
（女士）
y
re
=g
re
+ JB
re
V
CE
=10V
f=0.45MHz
10.7
25
集电极输出电容C
ob
（PF ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
10
I
E
=–1mA
f=1MHz
Ta=25C
输入纳B
ie
（女士）
10
100
– 0.5
8
58
–1.0
= 0.4毫安
–1mA
–1.5
–2mA
–4mA
58
6
25
10.7
I
E
= - 0.4毫安
–1mA
–2mA
–4mA
–7mA
f=0.45MHz
4
–2.0
2
–2.5
100
I
E
=–7mA
0
30
100
0
4
8
12
16
20
–3.0
– 0.5
– 0.4
– 0.3
– 0.2
– 0.1
0
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电导G
ie
（女士）
反向传输电导G
re
（女士）
b
fe
— g
fe
0
b
oe
— g
oe
0.45
向前转移纳B
fe
（女士）
= 0.1毫安
–0.4mA
25
100
100
58
0.45
10.7
–1mA
1.2
100
10.7
–20
输出纳B
oe
（女士）
–2mA
25
58
1.0
–4mA
100
–40
100
58
25
f=10.7MHz
0.8
58
0.6
25
0.4
10.7
0.2
f=0.45MHz
0
0.2
0.4
–7mA
–4mA
–2mA
–1mA
= 0.4毫安
I
E
= - 0.1毫安
–60
58
I
E
=–7mA
–80
–100
y
fe
=g
fe
+ JB
fe
V
CE
=10V
y
oe
=g
oe
+ JB
oe
V
CE
=10V
0.6
0.8
1.0
–120
0
20
40
60
80
100
0
正向传输导
g
fe
（女士）
输出电导G
oe
（女士）
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