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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC792
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
应用
·对于稳压器，逆变器，开关
模式电源应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
? )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25?
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
300
5
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
?
?
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC792
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
300
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 300V ;我
E
=0
50
A
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
50
A
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=10V
30
200
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
10
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC792
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC792
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
应用
For
稳压器，逆变器，开关
模式电源应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
300
5
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC792
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
300
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 300V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
50
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=10V
30
200
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
10
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC792
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC792
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
应用
For
稳压器，逆变器，开关
模式电源应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
300
5
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC792
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
300
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 300V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
50
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=10V
30
200
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
10
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC792
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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2SB0621AQ
258655
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