订购数量： ENA0412
2SC6097
2SC6097
应用
NPN外延平面硅晶体管
大电流开关应用
直流/直流转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，逆变器。
特点
采用FBET ， MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
100
100
60
6.5
3
5
600
0.8
15
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
ICBO
IEBO
的hFE
条件
VCB = 50V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC =百毫安
300
评级
民
典型值
最大
1
1
600
单位
A
A
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
70306 / 53006EA MS IM TB- 00002348号A0412-1 / 4
2SC6097
从接下页。
参数
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCE = 10V ， IC = 500毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 1A ， IB = 50毫安
IC = 1A ， IB =百毫安
IC = 1A ， IB =百毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 100μA ， RBE = 0Ω
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
100
100
60
6.5
35
680
24
评级
民
典型值
390
18
100
90
0.84
150
135
1.2
最大
单位
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
7518-003
6.5
5.0
2.3
1.5
包装尺寸
单位：mm
7003-003
6.5
5.0
2.3
1.5
0.5
0.5
4
4
7.0
5.5
5.5
7.0
0.8
1.6
7.5
1
0.5
0.6
2
0.8
1.2
3
0 0.2
1.2
0.6
2.5
0.85
0.7
0.85
0.5
1.2
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
4 ：收藏家
三洋： TP
2.3
2.3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
4 ：收藏家
三洋： TP -FA
2.3
2.3
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR10
IB1
产量
IB2
RB
RL
50
+
100F
VBE = --5V
+
470F
VCC=30V
10IB1 = --10IB2 = IC = 0.5A
第A0412-2 / 4
2SC6097
10
7
5
ASO
ICP=5A
<10s
集电极电流， IC - 一个
10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
DC
10
0
ms
集电极电流， IC - 一个
3
2
1m
IC=3A
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
ICP=5A
IC=3A
直流操作
100ms
10毫秒1毫秒
<10s
s
100
s
100
s
50
0
s
50
0
s
ms
op
ERA
TIO
n
0.01
0.1
Ta=25°C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
集电极 - 发射极电压VCE - V
0.9
0.8
5 7 100
IT11054
0.01
0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
PC - TA
集电极 - 发射极电压VCE - V
17.5
5 7 100
IT11055
PC - 锝
15.0
集电极耗散，电脑 - 含
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极耗散，电脑 - 含
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT11056
外壳温度，TC -
°C
IT11057
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式，包括电子
或机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，没有三洋半导体有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为三洋半导体产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。三洋半导体相信本文资料是准确的
并对其使用在任何违反可靠，但不保证作出或暗示的保证
知识产权或其它第三方权利。
该目录规定的5月， 2006年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A0412-4 / 4
QQ：2881677436 复制
