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2SC6079
东芝三极管
硅NPN外延型
2SC6079
功率放大器的应用
电源开关应用
低集电极饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.5 V (最大值) (我
C
= 1A)
高速开关:吨
英镑
= 0.4
μs
(典型值)
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
160
160
80
9
2.0
4.0
1.5
1
150
55½150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 0.2克(典型值)
2-7D101A
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2007-06-07
2SC6079
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
h
FE (2)
h
FE (3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
上升时间
V
CE (饱和)(1)
V
CE (饱和)(2)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
r
I
B1
测试条件
V
CB
= 160 V,I
E
= 0
V
EB
= 9 V,I
C
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A
I
C
= 0.5 A,I
B
= 50毫安
I
C
= 1 A,I
B
= 100毫安
I
C
= 1 A,I
B
= 100毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1MH
Z
20
μs
I
B1
I
B2
产量
24
80
150
180
100
典型值。
150
14
0.05
最大
1.0
1.0
450
0.3
0.5
1.5
V
V
V
MH
Z
pF
单位
μA
μA
V
输入
I
B2
开关时间
贮存时间
t
英镑
0.4
μs
V
CC
= 24 V
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
=
百毫安
占空比
1%
0.15
记号
C6079
产品型号(或缩写代码)
批号
A线指示
铅(Pb ) - 免费
包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2007-06-07
2SC6079
I
C
– V
CE
3
共发射极
Ta
=
25°C
脉冲测试
2
共发射极
VCE
=
2 V
脉冲测试
I
C
– V
BE
(A)
(A)
2
I
C
I
C
100
60
40
20
10
5
1.5
集电极电流
集电极电流
Ta
=
100℃
1
25
55
1
2
IB
=
1毫安
0
0.5
0
1
2
3
4
5
0
0
0.5
1
1.5
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
10000
V
CE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
VCE
=
2 V
脉冲测试
1
共发射极
IC / IB
=
10
脉冲测试
h
FE
1000
Ta
=
100°C
0.1
25
Ta
=
100°C
直流电流增益
100
55
25
55
0.01
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
f
T
– I
C
1000
10
V
BE (SAT)
– I
C
共发射极
IC / IB
=
10
脉冲测试
f
T
(兆赫)
100
10
5
跃迁频率
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
1
55
10
VCE
=
2V
共发射极
Ta
=
25°C
脉冲测试
1
0.001
0.01
0.1
1
10
25
Ta
=100°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
3
2007-06-07
2SC6079
r
th
– t
w
1000
瞬态热阻抗
r
日(
/W)
100
10
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复脉冲的Ta
=
25°C
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
IC最大。 (脉冲) *
IC最大。 (连续)
1毫秒*
10毫秒*
(A)
1
直流操作
Ta=25℃
0.1
100毫秒*
集电极电流
I
C
0.01
*单非重复脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
VCEO MAX 。
10
100
0.001
0.01
0.1
1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2007-06-07
2SC6079
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-06-07
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