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2SC6026MFV

东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）

2SC6026MFV

通用运算放大器应用

高电压和高电流

: V

首席执行官

= 50 V，I

= 150 MA（最大）

优秀

线性：

= 0.1毫安） /小时

= 2毫安） = 0.95 （典型值）。

0.8 ± 0.05

1.2 ± 0.05

0.22 ± 0.05

1.2 ± 0.05

单位：mm

补充2SA2154MFV

铅（Pb ） - 免费

0.4

高

= 120~400

0.13 ± 0.05

最大额定值

（ TA = 25°C ）

0.5 ± 0.05

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

150

150*

150

55~150

单位

°C

VESM

JEDEC

JEITA

东芝

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

―

2-1L1A

* ：装在FR4电路板（25.4毫米

25.4 mm

1.6mm)

安装焊盘尺寸（参考）

0.5

0.45

重量0.0015克（典型值）。

1.15

0.4

0.45

0.4

单位：mm

2005-06-28

0.32 ± 0.05

0.80 ± 0.05

2SC6026MFV

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

（注）

CE （SAT）

测试条件

60 V，I

5 V，I

6 V，I

2毫安

百毫安，我

10毫安

10 V，I

1毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

民

120

典型值。

0.1

0.95

最大

0.1

400

0.25

单位

兆赫

注：H

分类Y（ Y）： 120 240 ， GR （ G）： 200 400

（）标记符号

记号

型号名称

分类

2005-06-28

2SC6026MFV

IC - VCE

120

2.0

集电极电流Ic （ mA）的

的hFE - IC

1000

1.5

100

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

IB = 0.1毫安

直流电流增益hFE

TA = 100℃

100

-25

共发射极TA = 25℃

集电极 - 发射极电压Vce （ V）

0.1

共发射极

VCE = 6 V

VCE

= 1 V

100

1000

集电极电流Ic （ mA）的

VCE （SAT） - IC

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （饱和）（V）的

基射极饱和

电压VBE （SAT ）（V ）

VBE （星期六） - IC

共发射极

IC / IB = 10

共发射极

IC / IB = 10

TA = 100℃

0.1

-25

TA = 100℃

0.01

0.1

100

1000

集电极电流Ic （ mA）的

0.1

100

1000

集电极电流Ic （ mA）的

IB - VBE

集电极耗散功率PC （MV ）

PC - TA

250

安装在FR4板

（ 24.5毫米× 24.5毫米× 1.6万吨）

1000

基极电流IB （ μA ）

100

200

TA = 100℃

150

-25

100

共发射极

VCE = 6V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

100

150

200

基射极电压VBE （ V）

环境温度Ta （C ）

2005-06-28

2SC6026MFV

2005-06-28

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