2SC6026
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
2SC6026
通用运算放大器应用
高电压和高电流
: V
首席执行官
= 50 V，I
C
= 100 MA（最大）
优秀
FE
线性：H
FE
(I
C
= 0.1毫安） /小时
FE
(I
C
= 2毫安） = 0.95 （典型值）。
0.6±0.05
0.15±0.05
单位：mm
0.35±0.05
高
FE
铅（Pb ）免费
:
h
FE
= 120~400
补充2SA2154
1
3
2
0.8±0.05
1.0±0.05
0.1±0.05
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
100
30
50
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0.48
-0.04
+0.02
0.1±0.05
FSM
JEDEC
JEITA
东芝
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
―
―
2-1E1A
重量： 0.0006克（典型值）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
60 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
6 V，I
C
=
2毫安
I
C
=
百毫安，我
B
=
10毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
120
60
典型值。
0.1
0.95
最大
0.1
0.1
400
0.25
单位
A
A
V
兆赫
pF
注：H
FE
分类Y（ F） ： 120 240 ， GR （H ） ： 200 400
（ ）标记符号
记号
型号名称
h
FE
秩
7F
1
2005-03-23
0.2±0.05
2SC6026
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝的产品不应该被嵌入到被禁止生产和下游产品
出售，根据任何法律和法规。
3
2005-03-23
QQ：2881677436 复制
