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2SC6000
东芝三极管
硅NPN外延型
2SC6000
高速开关应用
DC- DC转换器应用
高直流电流增益：H
FE
= 250400 （我
C
= 2.5 A)
低集电极 - 发射极饱和： V
CE （SAT）
= 0.18 V（最大值）
高速开关：吨
f
= 13 ns（典型值）
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TC = 25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
120
120
50
6
7.0
10.0
0.5
20
150
55
150
单位
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J1A
重量：0.58克（典型值）。
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
1
2006-11-13
2SC6000
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 2.5 A
I
C
= 2.5 A，I
B
= 83毫安
I
C
= 2.5 A，I
B
= 83毫安
参见图1电路原理图
V
CC
20 V ，R
L
=
8.0
Ω
I
B1
=
83毫安，我
B2
= 166
mA
民
―
―
50
160
250
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
45
450
13
最大
100
100
―
―
400
0.18
1.10
―
―
―
单位
nA
nA
V
V
V
ns
图1开关时间测试电路&时序图
VCC
20μs
RL
IB1
IB2
占空比
＜
1%
IB1
输入
产量
IB2
记号
C6000
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-13
2SC6000
I
C
– V
CE
8
50
30
20
共发射极
TC = 25 ？
10000
共发射极
VCE = 2 V
h
FE
– I
C
(A)
直流电流增益
FE
6
集电极电流I
C
1000
TC = 100℃
25
55
100
4
10
2
5
IB = 2毫安
0
0
0
1
2
3
4
5
10
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （SAT）
– I
C
1
V
BE （SAT）
– I
C
10
共发射极
IC / IB = 30
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
共发射极
IC / IB = 30
0.1
TC = 100℃
55
0.01
25
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
1
TC =
55°C
100
25
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
I
C
– V
BE
2.0
共发射极
VCE = 2 V
(A)
集电极电流I
C
1.5
1.0
TC = 100℃
0.5
25
55
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
基射极电压
V
BE
(V)
3
2006-11-13
2SC6000
r
日（J -C ）
– t
w
10
瞬态热阻
RTH （J -C ） （ C / W ）
1
0.1
0.001
曲线应在热应用
有限的区域内。 （单不重复
脉冲）
TC = 25 ℃ （无限散热器）
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度
TW （S ）
安全工作区
100
(A)
10
集成电路最大值（脉冲） *
IC MAX（连续） *
10
μs*
100
μs*
1毫秒*
10毫秒*
集电极电流I
C
1
直流操作
TC = 25°C
100毫秒*
0.1
*：单一非重复脉冲
TC = 25°C
曲线
线性
必须
同
be
降额
in
最大VCEO
100
1000
增加
温度。
0.01
0.1
1
10
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2006-11-13
2SC6000
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-11-13
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推荐型号
29F68QCQR
2SK291R
22-28-7050
2DS1618T
262646
2SB762
2LP23
27C128-25I/J
2SB828S
22-26-8122
2020-6619-06
202-934-21-38
28C17AF-25/VS
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2315146
2SA671
2SJ303
290-009U12
259134
2V4BCB
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