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2SC5976
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5976
高速开关应用
DC- DC转换器应用
频闪闪光灯应用
高直流电流增益：H
FE
= 250400 （我
C
= 0.3 A)
2.9±0.2
1.9±0.2
+0.2
2.8-0.3
+0.2
1.6-0.1
单位：mm
0.95 0.95
低集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.14 V（最大值）
高速开关：吨
f
= 25 ns（典型值）。
1
2
3
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率（ T = 10秒）
共集电极耗散功率（ DC）
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
(Note.1)
T
j
T
英镑
等级
50
50
30
6
3.0
5.0
0.3
1.00
0.625
150
55
150
单位
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2
0.7±0.05
1.Base
2.Emitter
3.Collector
JEDEC
JEITA
东芝
0½0.1
―
―
2－3S1A
注1 ：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米）
1
2004-07-01
0.16±0.05
0.15
最大额定值
（大
=
25°C)
0.4±0.1
2SC5976
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
COB
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.3 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
1.0 A
I
C
= 1.0 A，I
B
=33mA
I
C
= 1.0 A，I
B
=33mA
V
CB
=
10 V，I
E
=
0 ， F = 1MHz的
参见图1 。
V
CC
≈
12V ，R
L
=
12
I
B1
= I
B2
=
33毫安
民
30
250
120
典型值。
18
40
320
25
ns
最大
0.1
0.1
400
0.14
1.10
V
V
pF
单位
μA
μA
V
V
CC
20
s
I
B1
I
B2
I
B2
占空比
＆ LT ;
1%
I
B1
R
L
产量
输入
图1开关时间测试电路&时序图
记号
产品型号（或缩写代码）
W
批号（年）
点：偶数年
没有点：奇数年
W
很多代码（月）
2
2004-07-01
2SC5976
I
C
– V
CE
3.0
20
1000
15
10
h
FE
– I
C
Ta
=
100°C
(A)
2.5
直流电流增益
FE
8
2.0
6
1.5
4
1.0
IB
=
2毫安
共发射极
Ta
=
25°C
单一不重复的脉冲
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
集电极电流I
C
25°C
55°C
100
0.5
共发射极
V
CE
=
2 V
单一不重复的脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0
10
0.001
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （SAT）
– I
C
1
V
BE （SAT）
– I
C
10
共发射极
β
=
30
单一不重复的脉冲
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
共发射极
β
=
30
单一不重复的脉冲
0.1
Ta
=
100°C
55°C
1
Ta
= 55°C
100°C
25°C
25°C
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
I
C
– V
BE
3.0
共发射极
0.8
V
CE
=
2 V
2.5单非重复脉冲
P
c
- TA
(W)
直流操作TA = 25℃
安装在FR4板环氧玻璃，
2
厚1.6毫米，铜面积： 645毫米）
(A)
P
C
集电极耗散功率
2.0
1.5
Ta
=
100°C
1.0
55°C
0.5
25°C
0
0
0.6
集电极电流I
C
0.4
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
基射极饱和电压V
BE
(V)
环境温度
Ta
(°C)
3
2004-07-01
2SC5976
r
th
– t
w
1000
瞬态热阻
r
th
第（j-一）（ ℃/ W）的
100
10
1
0.001
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复脉冲的Ta
=
25°C
2
安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米）
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
集成电路最大值（脉冲） *
10毫秒* 1毫秒* 100微秒*
10 s*
集电极电流I
C
(A)
IC MAX（连续） *
100毫秒*
10 s*
直流操作
TA = 25°C
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
注意，该曲线为100毫秒，
0.1 10 s和直流操作将是
不同的，当设备不在
安装在FR4电路板（玻璃
环氧树脂，1.6毫米厚，铜面积：
2
645 mm ).
这些特性曲线必须
与增加呈线性降额
在温度。
0.01
0.1
1
10
1
最大VCEO
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2004-07-01
2SC5976
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
5
2004-07-01
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