订购数量： ENN7988
2SA2125 / 2SC5964
2SA2125 / 2SC5964
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
直流/直流转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
特定网络阳离子
（）： 2SA2125
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
!0.8m)
2
条件
评级
(--50)100
(--50)100
(--)50
(--)6
(--)3
(--)6
(--)600
1.3
3.5
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
Tc=25°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ -
-)100mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 500毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
200
(390)380
(24)13
评级
民
典型值
最大
(-
-)1
(-
-)1
560
兆赫
pF
单位
A
A
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N3004 TS IM TB- 00000265 No.7988-1 / 5
2SA2125 / 2SC5964
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基站至Emitterr饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 2A ， IB = （ -
-)100mA
VCE = （ - ） 2V ， IB = （ -
-)100mA
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
IC = （ - ） 100μA ， RBE = 0
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ -
- ） 10μA ， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(--50)100
(--50)100
(-
-)50
(--)6
(30)35
(230)300
(18)25
评级
民
典型值
(--125)100
(--250)190
(--)0.94
最大
(--230)150
(--500)290
(--)1.2
单位
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
2038B
4.5
1.6
1.5
开关时间测试电路
IB1
产量
IB2
VR
50
+
100F
+
470F
VCC=25V
RB
PW=20s
D.C.≤1%
输入
RL
2.5
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
1.0
4.0
0.4
VBE = --5V
IC = 10IB1 = --10IB2 = 1A
对于PNP ，极性是相反的。
0.75
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
三洋： PCP
--5.0
IC - VCE
2SA2125
--250
mA
mA
--200
50mA
--1
mA
--100
--50m
A
5.0
IC - VCE
2SC5964
100m
A
80mA
60mA
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
40mA
20mA
--20mA
10mA
5mA
--10mA
--5mA
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
IB=0
--1.8
--2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IB=0
1.8
2.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT07258
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT07259
No.7988-2/5
2SA2125 / 2SC5964
4.0
3.5
PC - 锝
2SA2125 / 2SC5964
集电极耗散，电脑 - 含
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
外壳温度，TC -
°C
60
80
100
120
140
160
IT07276
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
本产品目录提供的信息截至11月， 2004年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7988-5 / 5
订购数量： EN7988A
2SA2125 / 2SC5964
三洋半导体
数据表
2SA2125/2SC5964
Applicaitons
PNP / NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
直流/直流转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，佛罗里达州灰
特点
通过MBIT过程
低集电极 - 发射极饱和电压
无卤合规
） ： 2SA2125
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
电流容量大
高速开关
特定网络阳离子
(
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
绝对最大额定值
在TA = 25℃
条件
评级
(-50)100
(-50)100
(-
-)50
(--)6
单位
V
V
V
V
接下页。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
产品&包装信息
包
： PCP
JEITA ， JEDEC
： SC - 62 ， SOT- 89 ， TO- 243
最小包装数量： 1000个/卷。
2SA2125-TD-E
2SA2125-TD-H
2SC5964-TD-E
2SC5964-TD-H
包装类型： TD
2.5
1.0
4.0
TD
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
记号
LOT号
0.75
2SA2125
2SC5964
电气连接
2
2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
1
1
三洋： PCP
3
2SA2125
2SC5964
http://www.sanyosemi.com/en/network/
91912 TKIM / N3004 TSIM TB- 00000265 No.7988-1 / 8
HA
3
AY
LOT号
2SA2125 / 2SC5964
从接下页。
参数
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
Tc=25°C
2
条件
评级
(--)3
(-
-)6
(--)600
1.3
3.5
150
-
-55到+150
单位
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 500毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 100μA ， RBE = 0Ω
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(--50)100
(--50)100
(-
-)50
(--)6
(30)35
(230)300
(18)25
200
(390)380
(24)13
(--125)100
(--250)190
(--)0.94
(--230)150
(--500)290
(--)1.2
评级
民
典型值
最大
(-
-)1
(--)1
560
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50Ω
+
100μF
VBE = --5V
+
470μF
VCC=25V
RB
RL
IC = 10IB1 = --10IB2 = 1A
对于PNP ，极性是相反的。
订购信息
设备
2SA2125-TD-E
2SA2125-TD-H
2SC5964-TD-E
2SC5964-TD-H
包
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
No.7988-2/8
QQ：2881677436 复制
