中等功率晶体管（ 60V ， 2A ）
2SC5866
■特点
1 ）高速开关。 （ TF：典型：为35ns ，在我
C
= 2A)
2）低的饱和电压，典型地
（典型值： 200mV的在我
C
= 1.0米我
B
= 0.1A)
3 ）强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 ）补充了2SA2094
尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
0.95 0.95
(1)
2.8
1.6
1.9
0.4
(3)
(2)
2.9
1.0MAX
0.85
0.16
0.1
■应用
低频放大器
高速开关
(1)Base
(2)Emitter
(3)Collector
0.3
0.6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： VL
Structure
NPN硅外延平面晶体管
Packaging
特定网络阳离子
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
2SC5866
TAPING
TL
3000
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
1 PW = 10毫秒
2安装在一个推荐的焊盘的每个终端。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
6
2
4
500
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
www.rohm.com
c
○
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
0
0.7
1/3
2011.03 - Rev.A的
通告
笔记
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
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R1120A
2SC5866
晶体管
中等功率晶体管（ 60V ， 2A ）
2SC5866
!
特点
1 ）高速开关。 （ TF：典型：为35ns ，在我
C
= 2A)
2）低的饱和电压，典型地
（典型值： 200mV的在我
C
= 1.0米我
B
= 0.1A)
3 ）强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 ）补充了2SA2094
!
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
0.95 0.95
(1)
2.8
1.6
1.9
0.4
(3)
(2)
2.9
1.0MAX
0.85
0.16
0.1
(1)Base
(2)Emitter
(3)Collector
0.3
0.6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： VL
！应用
低频放大器
高速开关
!
结构
NPN硅外延平面晶体管
!
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
2SC5866
TAPING
TL
3000
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
1 PW = 10毫秒
2安装在一个推荐的焊盘的每个终端。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
6
2
4
500
150
55~+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
0
0.7
1/3
2SC5866
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
符号
BV
CBO
分钟。
60
60
6
120
典型值。
200
200
10
50
120
35
马克斯。
1.0
1.0
500
390
单位
V
V
V
A
A
mV
兆赫
pF
ns
ns
ns
I
C
=
100A
I
C
=
1mA
I
E
=
100A
V
CB
=
40V
V
EB
=
4V
I
C
=
1A ，我
B
=
0.1A
1
V
CE
=
2V ，我
C
=
100mA
V
CE
=
10V ，我
E
=
百毫安，女
=
10MHz
1
V
CB
=
10V ，我
E
=
0毫安，女
=
1MHz
I
C
=
2A,
I
B1
=
2000mA
I
B2
=
200mA
V
CC
25V
2
条件
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压staturation
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
fT
C
ob
T
on
T
英镑
Tf
1
非重复脉冲
2
见切换特征研究测量电路
!
h
FE
秩
Q
120-270
R
180-390
!
电气特性曲线
10
1ms
1000
Ta=25°C
V
CC
=25V
I
C
/I
B
=10/1
1000
V
CE
=2V
Ta=125°C
直流电流增益：H
FE
集电极电流：我
C
(A)
10ms
TSTG
1
100ms
切换时间（纳秒）
100
TA
40°C
Ta=25°C
DC
0.1
100
Tf
吨
10
0.01
单非
repoetitive脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1安全工作区
1000
图2开关时间
10
图3直流电流增益与集电极
当前
10
Ta=25°C
Ta=25°C
集电极饱和
电压： V
CE
（饱和） （V）的
V
CE
=5V
直流电流增益：H
FE
I
C
/I
B
=10/1
100
V
CE
=2V
V
CE
=3V
1
Ta=125°C
集电极饱和
电压： V
CE
（饱和） （V）的
1
10
0.1
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与集电极
当前
图5集电极 - 发射极饱和电压图6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
与集电极电流
2/3
2SC5866
晶体管
中等功率晶体管（ 60V ， 2A ）
2SC5866
特点
1 ）高速开关。 （ TF：典型：为35ns ，在我
C
= 2A)
2）低的饱和电压，典型地
（典型值： 200mV的在我
C
= 1.0米我
B
= 0.1A)
3 ）强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 ）补充了2SA2094
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
0.95 0.95
(1)
2.8
1.6
1.9
0.4
(3)
(2)
2.9
1.0MAX
0.85
0.16
0.1
(1)Base
(2)Emitter
(3)Collector
0.3
0.6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： VL
应用
低频放大器
高速开关
结构
NPN硅外延平面晶体管
包装规格
包
TYPE
TAPING
TL
3000
CODE
基本订购单位
（件）
2SC5866
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
1 PW = 10毫秒
2安装在一个推荐的焊盘的每个终端。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
6
2
4
500
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
0
0.7
Rev.A的
1/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SC5866
晶体管
中等功率晶体管（ 60V ， 2A ）
2SC5866
!
特点
1 ）高速开关。 （ TF：典型：为35ns ，在我
C
= 2A)
2）低的饱和电压，典型地
（典型值： 200mV的在我
C
= 1.0米我
B
= 0.1A)
3 ）强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 ）补充了2SA2094
!
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
0.95 0.95
(1)
2.8
1.6
1.9
0.4
(3)
(2)
2.9
1.0MAX
0.85
0.16
0.1
(1)Base
(2)Emitter
(3)Collector
0.3
0.6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： VL
！应用
低频放大器
高速开关
!
结构
NPN硅外延平面晶体管
!
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
2SC5866
TAPING
TL
3000
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
1 PW = 10毫秒
2安装在一个推荐的焊盘的每个终端。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
6
2
4
500
150
55~+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
0
0.7
1/3
2SC5866
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
符号
BV
CBO
分钟。
60
60
6
120
典型值。
200
200
10
50
120
35
马克斯。
1.0
1.0
500
390
单位
V
V
V
A
A
mV
兆赫
pF
ns
ns
ns
I
C
=
100A
I
C
=
1mA
I
E
=
100A
V
CB
=
40V
V
EB
=
4V
I
C
=
1A ，我
B
=
0.1A
1
V
CE
=
2V ，我
C
=
100mA
V
CE
=
10V ，我
E
=
百毫安，女
=
10MHz
1
V
CB
=
10V ，我
E
=
0毫安，女
=
1MHz
I
C
=
2A,
I
B1
=
2000mA
I
B2
=
200mA
V
CC
25V
2
条件
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压staturation
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
fT
C
ob
T
on
T
英镑
Tf
1
非重复脉冲
2
见切换特征研究测量电路
!
h
FE
秩
Q
120-270
R
180-390
!
电气特性曲线
10
1ms
1000
Ta=25°C
V
CC
=25V
I
C
/I
B
=10/1
1000
V
CE
=2V
Ta=125°C
直流电流增益：H
FE
集电极电流：我
C
(A)
10ms
TSTG
1
100ms
切换时间（纳秒）
100
TA
40°C
Ta=25°C
DC
0.1
100
Tf
吨
10
0.01
单非
repoetitive脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1安全工作区
1000
图2开关时间
10
图3直流电流增益与集电极
当前
10
Ta=25°C
Ta=25°C
集电极饱和
电压： V
CE
（饱和） （V）的
V
CE
=5V
直流电流增益：H
FE
I
C
/I
B
=10/1
100
V
CE
=2V
V
CE
=3V
1
Ta=125°C
集电极饱和
电压： V
CE
（饱和） （V）的
1
10
0.1
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与集电极
当前
图5集电极 - 发射极饱和电压图6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
与集电极电流
2/3
QQ：2880707522 复制
