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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第70页 > 2SC5848
晶体管
2SC5848
NPN硅外延平面型
对于一般的放大器阳离子
补充
2SA2079
特点
高正向电流传输比H
FE
适合于高密度安装和douwsizing的设备的
超小型无引脚封装
包装：
0.6
mm
×
1.0
毫米（ HIGHT
0.39
mm)
3
2
单位：mm
1
1.00
±0.05
0.60
±0.05
0.39
+0.01
0.03
0.15
±0.05
0.05
±0.03
0.35
±0.01
0.25
±0.05
0.50
±0.05
0.25
±0.05
1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
100
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
3
0.65
±0.01
2
0.05
±0.03
ML3 -N2套餐
标记符号：
3E
电气特性
T
a
=
25°C±3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2
妈，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CB
=
20
V，I
E
=
0
V
CE
=
10
V，I
B
=
0
V
CE
=
10
V，I
C
=
2
mA
I
C
=
100
妈，我
B
=
10
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= -2 mA时， F =
200
兆赫
V
CB
=
10
V，I
E
=
0,
f =
1
兆赫
180
0.1
100
2.2
民
60
50
7
0.1
100
390
0.3
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C
7030
用于测量晶体管的方法。
出版日期：十二月
2004
SJC00327AED
1
2SC5848
2SC5848_ P
C
-T
a
P
C
T
a
2SC5848_I
C
-V
CE
I
C
V
CE
2SC5848_I
C
-I
B
I
C
I
B
120
50
T
a
=
25°C
I
B
=
160
A
140
A
120
A
140
120
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
100
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
40
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
30
100
A
80
A
60
A
20
10
40
A
20
A
0
20
40
60
80
100 120 140
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度T
a
(°C)
2SC5848_I
B
-V
BE
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2SC5848_I
C
-V
BE
基极电流I
B
（MA ）
2SC5848_V
CE （ SAT ）
-I
C
I
B
V
BE
I
C
V
BE
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
3.5
3.0
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
120
V
CE
=
10V
100
1
I
C
/ I
B
=
10
基极电流I
B
（MA ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
集电极电流I
C
（MA ）
80
60
40
20
0
T
a
=
75°C
25°C
–25°C
0.1
T
a
=
75°C
–25°C
25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
1
10
100
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2SC5848_h
FE
-I
C
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2SC5848_C
ob
-V
CB
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
T
a
=
75°C
V
CE
=
10 V
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
350
300
250
–25°C
200
150
100
50
0
10
正向电流传输比H
FE
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
25°C
1
10
100
1 000
1
0
8
16
24
32
40
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJC00327AED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
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推荐型号
2SJ352-E
2020LN103Z4
2040.0618
2-796698-1
2SC3076
27HC291-55/SJ
2020-6627-30
2SB944
2SD1047PD
222297451461
2SK1867
2SC2206
2SK597
2N4171
2SC3358
2SC5318
2SD946AP
225P33491X
22-100-115
2020-30J
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