功率晶体管
2SC5840
NPN硅外延平面型
单位：mm
电源音频&视觉设备
如电视机和录像机
工业设备，如DC -DC转换器
■
特点
高速开关（T
英镑
：存放时间/吨
f
：秋季时间短）
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
卓越的正向电流传输比H
FE
线性
TO- 220D内置：优秀的包装与耐受电压5 kV的
保证
9.9
±0.3
3.0
±0.5
4.6
±0.2
2.9
±0.2
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
15.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
2.6
±0.1
0.55
±0.15
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
1
2
2.54
±0.30
5.08
±0.50
3
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
80
80
5
3
5
15
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
W
B
°C
°C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220D -A1套餐
标记符号： C5840
内部连接
C
E
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CB
=
80 V，I
E
=
0
V
CE
=
80 V，I
B
=
0
V
CE
=
4 V，I
C
=
0.2 A
V
CE
=
4 V，I
C
=
1 A
V
CE
=
4 V，I
C
=
3 A
I
C
=
3 A，I
B
=
0.375 A
V
CE
=
10 V，I
C
=
0.1 A，F
=
10兆赫
I
C
=
1 ，电阻装
I
B1
=
0.1 A，I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
100
0.2
0.9
0.15
50
80
20
0.7
V
兆赫
s
s
s
280
民
80
100
100
典型值
最大
单位
V
A
A
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期： 2002年11月
SJD00297AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SC5840
NPN硅外延平面型
单位：mm
电源音频&视觉设备
如电视机和录像机
工业设备，如DC -DC转换器
■
特点
高速开关（T
英镑
：存放时间/吨
f
：秋季时间短）
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
卓越的正向电流传输比H
FE
线性
TO- 220D内置：优秀的包装与耐受电压5 kV的
保证
9.9
±0.3
3.0
±0.5
4.6
±0.2
2.9
±0.2
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
15.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
2.6
±0.1
0.55
±0.15
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
1
2
2.54
±0.30
5.08
±0.50
3
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
80
80
5
3
5
15
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
W
B
°C
°C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220D -A1套餐
标记符号： C5840
内部连接
C
E
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CB
=
80 V，I
E
=
0
V
CE
=
80 V，I
B
=
0
V
CE
=
4 V，I
C
=
0.2 A
V
CE
=
4 V，I
C
=
1 A
V
CE
=
4 V，I
C
=
3 A
I
C
=
3 A，I
B
=
0.375 A
V
CE
=
10 V，I
C
=
0.1 A，F
=
10兆赫
I
C
=
1 ，电阻装
I
B1
=
0.1 A，I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
100
0.2
0.9
0.15
50
80
20
0.7
V
兆赫
s
s
s
280
民
80
100
100
典型值
最大
单位
V
A
A
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期： 2002年11月
SJD00297AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
QQ：2881677436 复制
