数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5787
NPN硅射频晶体管
HIGH-高频低噪声
3 -PIN LEAD- LESS MINIMOLD
特点
适用于3 GHz或更高OSC应用
低噪声,高增益
f
T
= 20 GHz的典型值,
S
21e
2
= 13 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
NF = 1.4 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫,Z
S
= Z
选择
UHS0技术(F
T
= 25 GHz)的采用
通过使用金电极的高可靠性
3针引线少minimold包( 1005 PKG )
订购信息
产品型号
2SC5787
2SC5787-T3
QUANTITY
50个(非卷轴)
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚2 (碱)所面对的带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
9.0
3.0
1.5
35
105
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
由于这款产品采用高频技术,避免过多的静电,等等。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文件前,请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PU10070EJ01V0DS (第1版)
(上一页第P15786EJ1V0DS00 )
发布日期2002年1月CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
NEC公司2001年
NEC化合物半导体器件2002年
NPN硅晶体管NE894M13
特点
新的微型M13包装:
- 小外形晶体管
- 1.0× 0.5× 0.5毫米
- 薄型/ 0.50毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
IDEAL FOR > 3 GHz的OSCILLATORS
低噪声,高增益
低C
re
UHSO 25 GHz的过程
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形M13
+0.1
0.5 –0.05
+0.1
0.15 –0.05
1
0.35
0.3
2
E7
1
+0.1
1.0 –0.05
3
0.7
0.35
2
+0.1
0.15 –0.05
0.2
3
+0.1
0.2 –0.05
0.1
0.1
描述
该NE894M13晶体管设计用于振荡器的应用
系统蒸发散3 GHz以上。该NE894M13具有低电压,低
当前操作,低噪音,高增益。 NEC的新低
资料/扁平引脚风格"M13"封装非常适合今天的便携式
无线应用。
0.5±0.05
+0.1
0.125 –0.05
0.2
底部视图
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
产品型号
数
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
pF
nA
nA
民
17
11
–
–
–
–
50
NE894M13
2SC5787
M13
典型值
20
13
1.4
0.22
–
–
–
最大
–
–
2.5
0.30
100
100
100
符号
f
T
|S
21E
|
2
| NF
C
re
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 1 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 1 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫,Z
S
= Z
选择
反向传输
电容
3
在V
CB
= 0.5 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
集电极截止电流在V
CB
= 5 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流增益
2
在V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量,脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3.集电极基极电容时,发射极接地
美国加州东部实验室