数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5750
NPN硅射频晶体管
中等输出功率放大( 30毫瓦)
4针超级Minimold
特点
适用于中等输出功率放大
P
O(1 dB为单位)
= 15.0 dBm的典型。 @ V
CE
= 2.8 V,F = 1.8千兆赫,P
in
- 1 dBm的
HFT3技术(F
T
= 12 GHz)的采用
通过使用金电极的高可靠性
4针超级minimold包
订购信息
产品型号
2SC5750
2SC5750-T1
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 (碱) ,引脚4 (发射极)面对所述带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
9.0
6.0
2.0
50
200
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
由于这款产品采用高频技术,避免过多的静电,等等。
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P15656EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2001年7月NS CP ( K)
日本印刷
2001