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2SC5713
东芝三极管
硅NPN外延型
2SC5713
高速开关应用
DC- DC转换器应用
频闪的应用
高直流电流增益:H
FE
= 400 1000 (我
C
= 0.5 A)
低集电极 - 发射极饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.15 V(最大值)
高速开关:吨
f
= 50 ns(典型值)。
工业应用
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
t
=
10 s
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
20
15
10
7
4
7
400
1.0
2.5
150
55
150
单位
V
V
V
V
A
mA
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
SC-62
2-5K1A
重量0.05克(典型值)。
注1 :安装在FR4电路板(环氧玻璃,厚1.6毫米,铜面积: 645毫米
2
)
注2 :在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2006-11-10
2SC5713
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
C
ob
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
20 V,I
E
=
0
V
EB
=
7 V,I
C
=
0
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
0.5 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
1.6 A
I
C
=
1.6 A,I
B
=
32毫安
I
C
=
1.6 A,I
B
=
32毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
参见图1电路原理图。
V
CC
6 V ,R
L
=
3.75
Ω
I
B1
= I
B2
=
53毫安
10
400
200
典型值。
28
110
150
50
最大
100
100
1000
0.15
1.10
ns
V
V
pF
单位
nA
nA
V
记号
V
CC
20
μs
I
B1
I
B1
产量
产品型号(或缩写代码)
输入
I
B2
2
LOT号
C
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
I
B2
占空比
& LT ;
1%
图1
开关时间测试电路&
时序图
R
L
2
2006-11-10
2SC5713
I
C
– V
CE
6
共发射极
Ta
=
25°C
单一不重复的脉冲
10000
共发射极
VCE
=
2 V
单非重复性
脉冲
Ta
=
100°C
h
FE
– I
C
5
25
(A)
20
15
直流电流增益
FE
集电极电流I
C
4
1000
3
10
8
6
4
25°C
100
55°C
2
1
IB
=
2毫安
10
0.001
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0.01
0.1
1
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
1
V
BE (SAT)
– I
C
10
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
0.1
Ta
=
100°C
55°C
0.01
25°C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
IC / IB
=
50
单一不重复的脉冲
共发射极
IC / IB
=
50
单非重复性
脉冲
1
Ta
= 55°C
25°C
100°C
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
I
C
– V
BE
5
共发射极
VCE
=
2 V
单一不重复的脉冲
集电极电流I
C
(A)
4
3
Ta
=
100°C
2
55°C
25°C
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
基射极电压
V
BE
(V)
3
2006-11-10
2SC5713
瞬态热阻
1000
r
th
– t
w
瞬态热阻
r
th
( ° C / W)
100
10
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复的脉冲
面积: 645毫米
2
)
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Ta
=
25°C
安装在FR4电路板(环氧玻璃,厚1.6毫米,铜
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
IC MAX (脉冲)
IC MAX(连续)
100
μs
1毫秒
10 ms
100毫秒※ *
10 s*
直流操作
*
(大
=
25°C)
:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
注意,该曲线
0.1 100毫秒* , 10秒* ,直流
*操作将是不同的,当
设备未安装在
一FR4板(环氧玻璃,
厚1.6毫米,铜面积:
645 mm
2
) 。这些特征
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.01
0.1
1
(A)
集电极电流I
C
1
10
最大VCEO
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2006-11-10
2SC5713
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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5
2006-11-10
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