【2SC5593NPN硅外延高频低噪声放大器ADE - 208-797 （ Z）1日。版2000年11】,IC型号2SC5593,2SC5593 PDF资料,2SC5593经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC5593

NPN硅外延

高频低噪声放大器

ADE - 208-797 （ Z）

1日。版

2000年11月

特点

高增益带宽积

= 23 GHz的典型值。

高功率增益，低噪声系数;

PG = 18 dB典型值。， NF = 1.8 dB典型值。在f = 1.8 GHz的

概要

CMPAK-4

1.发射器

2.收集

3.辐射源

4.基地

注：标记为“ XH- ” 。

2SC5593

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

4.5

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

功率增益

噪声系数

符号

（ BR ） CBO

CBO

首席执行官

EBO

COB

民

—

典型值

—

100

0.16

1.8

最大

—

140

0.4

—

2.3

单位

GHz的

测试条件

= 10

, I

= 0

= 10 V，I

= 0

= 4 V ，R

∞

= 1 V，I

= 0

= 2 V，I

= 10毫安

= 2 V，I

= 0

F = 1 MHz的

= 2 V，I

= 10毫安

F = 2 GHz的

= 2 V，I

= 10毫安

F = 1.8 GHz的

= 2 V，I

= 3毫安

F = 1.8 GHz的

2SC5593

主要特点

集电极耗散功率曲线

PC（毫瓦）

200

直流电流Transfet比率与

集电极电流

收藏家电源Dissipatio

直流电流传输比

150

100

= 3 V

100

150

的Ta （℃）

200

（MA ）

100

环境温度

集电极电流

（PF ）

COB

0.8

= 0

F = 1MHz的

（千兆赫）

1.0

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

增益带宽积主场迎战

集电极电流

集电极输出电容

增益带宽Prodfuct

0.6

= 3 V

0.4

0.2

0.1

100

0.2

0.5

集电极 - 基极电压

(V)

集电极电流

（MA ）

2SC5593

功率增益与集电极电流

= 3 V

NF（ dB）的

= 1至3伏

F = 1.8GHz的

噪声系数与集电极电流

（ dB）的

功率增益

噪声系数

F = 1.8GHz的

100

集电极电流

（MA ）

集电极电流

（MA ）

| （ dB）的

参数与集电极电流

= 3 V

参数

F = 2GHz的

100

集电极电流

（MA ）

2SC5593

S11参数与频率的关系

.6 .8 1

1.5 2

3 45

1.5

120°

90°

180°

0°

150°

30°

1.5

S21中参数与频率的关系

90°

120°

规模：5 / DIV 。

60°

150°

30°

60°

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

S12参数与频率的关系

90°

120°

S22参数与频率的关系

1.5

规模： 0.02 / DIV 。

60°

150°

30°

180°

0°

.6 .8 1

1.5 2

3 45

150°

30°

120°

60°

90°

1.5

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

2SC5593

NPN硅外延

高频低噪声放大器

ADE - 208-797 （ Z）

1日。版

2000年11月

特点

高增益带宽积

= 23 GHz的典型值。

高功率增益，低噪声系数;

PG = 18 dB典型值。， NF = 1.8 dB典型值。在f = 1.8 GHz的

概要

CMPAK-4

1.发射器

2.收集

3.辐射源

4.基地

注：标记为“ XH- ” 。

2SC5593

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

4.5

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

功率增益

噪声系数

符号

（ BR ） CBO

CBO

首席执行官

EBO

COB

民

—

典型值

—

100

0.16

1.8

最大

—

140

0.4

—

2.3

单位

GHz的

测试条件

= 10

, I

= 0

= 10 V，I

= 0

= 4 V ，R

∞

= 1 V，I

= 0

= 2 V，I

= 10毫安

= 2 V，I

= 0

F = 1 MHz的

= 2 V，I

= 10毫安

F = 2 GHz的

= 2 V，I

= 10毫安

F = 1.8 GHz的

= 2 V，I

= 3毫安

F = 1.8 GHz的

2SC5593

主要特点

集电极耗散功率曲线

PC（毫瓦）

200

直流电流Transfet比率与

集电极电流

收藏家电源Dissipatio

直流电流传输比

150

100

= 3 V

100

150

的Ta （℃）

200

（MA ）

100

环境温度

集电极电流

（PF ）

COB

0.8

= 0

F = 1MHz的

（千兆赫）

1.0

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

增益带宽积主场迎战

集电极电流

集电极输出电容

增益带宽Prodfuct

0.6

= 3 V

0.4

0.2

0.1

100

0.2

0.5

集电极 - 基极电压

(V)

集电极电流

（MA ）

2SC5593

功率增益与集电极电流

= 3 V

NF（ dB）的

= 1至3伏

F = 1.8GHz的

噪声系数与集电极电流

（ dB）的

功率增益

噪声系数

F = 1.8GHz的

100

集电极电流

（MA ）

集电极电流

（MA ）

| （ dB）的

参数与集电极电流

= 3 V

参数

F = 2GHz的

100

集电极电流

（MA ）

2SC5593

S11参数与频率的关系

.6 .8 1

1.5 2

3 45

1.5

120°

90°

180°

0°

150°

30°

1.5

S21中参数与频率的关系

90°

120°

规模：5 / DIV 。

60°

150°

30°

60°

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

S12参数与频率的关系

90°

120°

S22参数与频率的关系

1.5

规模： 0.02 / DIV 。

60°

150°

30°

180°

0°

.6 .8 1

1.5 2

3 45

150°

30°

120°

60°

90°

1.5

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

= 2 V，I

= 10毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

2SC5593

NPN硅外延

高频低噪声放大器

ADE - 208-797 （ Z）

1日。版

2000年11月

特点

高增益带宽积

= 23 GHz的典型值。

高功率增益，低噪声系数;

PG = 18 dB典型值。， NF = 1.8 dB典型值。在f = 1.8 GHz的

概要

CMPAK-4

1.发射器

2.收集

3.辐射源

4.基地

注：标记为“ XH- ” 。

2SC5593

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

4.5

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

功率增益

噪声系数

符号

（ BR ） CBO

CBO

首席执行官

EBO

COB

民

—

典型值

—

100

0.16

1.8

最大

—

140

0.4

—

2.3

单位

GHz的

测试条件

= 10

, I

= 0

= 10 V，I

= 0

= 4 V ，R

∞

= 1 V，I

= 0

= 2 V，I

= 10毫安

= 2 V，I

= 0

F = 1 MHz的

= 2 V，I

= 10毫安

F = 2 GHz的

= 2 V，I

= 10毫安

F = 1.8 GHz的

= 2 V，I

= 3毫安

F = 1.8 GHz的

2SC5593

主要特点

集电极耗散功率曲线

PC（毫瓦）

200

直流电流Transfet比率与

集电极电流

收藏家电源Dissipatio

直流电流传输比

150

100

= 3 V

100

150

的Ta （℃）

200

（MA ）

100

环境温度

集电极电流

（PF ）

COB

0.8

= 0

F = 1MHz的

（千兆赫）

1.0

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

增益带宽积主场迎战

集电极电流

集电极输出电容

增益带宽Prodfuct

0.6

= 3 V

0.4

0.2

0.1

100

0.2

0.5

集电极 - 基极电压

(V)

集电极电流

（MA ）