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2SC5544
NPN硅外延
VHF / UHF宽带放大器
ADE - 208-691 （ Z）
1日。版
1998年11月
特点
超紧凑的封装;
(1.4
×
0.8
×
0.59mm)
能低电压工作;
(V
CE
= 1V)
概要
MFPAK
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
注：标记为
“ YZ- ” 。
2SC5544
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
评级
15
8
1.5
50
80
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极输出电容
增益带宽积
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
COB
f
T
PG
NF
民
15
—
—
—
85
—
3
8
—
典型值
—
—
—
—
—
0.88
6
11.6
1.0
最大
—
1
1
10
170
1.4
—
—
2.0
单位
V
A
mA
A
V
pF
GHz的
dB
dB
测试条件
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
CB
= 12V，我
E
= 0
V
CE
= 8V ，R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5V ，我
C
= 0
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 1V ，我
E
= 0
F = 1MHz的
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
F = 900MHz的
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
F = 900MHz的
2
2SC5544
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率PC（毫瓦）
160
直流电流传输比H
FE
200
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
V
CE
= 1 V
120
80
100
40
0
0
50
100
150
200
1
2
5
10
20
50
100
环境温度Ta （C ）
集电极电流I
C
（MA ）
（PF ）
2.0
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
IE = 0
F = 1MHz的
20
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积主场迎战
集电极电流
V
CE
= 1 V
集电极输出电容科夫
1.6
16
1.2
12
8
0.8
0.4
4
0
0.1
0
1
2
5
10
20
50
100
0.2
0.5
1
2
5
10
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
3
2SC5544
功率增益与集电极电流
20
V
CE
= 1 V
16
功率增益PG （分贝）
F = 900MHz的
噪声系数NF （ dB）的
4
5
V
CE
= 1 V
F = 900MHz的
噪声系数与集电极电流
12
3
8
2
4
1
0
1
0
2
5
10
20
50
100
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
20
S
21
参数与集电极电流
V
CE
= 1 V
S
21
参数| S
21
| （ dB）的
16
F = 1GHz的
2
12
8
4
0
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流I
C
（MA ）
4
2SC5544
S11参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
.2
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–5
–4
–3
–.4
–.6
–.8
–1.5
–2
–120°
–90°
–60°
–1
180°
0°
150°
30°
1
1.5
2
S21参数与频率的关系
90°
120°
规模： 4 / DIV 。
60°
–150°
–30°
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
S12参数与频率的关系
90°
120°
S22参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
1
1.5
2
规模： 0.04 / DIV 。
60°
150°
30°
.2
4
5
10
180°
0°
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–150°
–30°
–.4
–120°
–90°
–60°
–.6
–.8
–1.5
–2
–1
–5
–4
–3
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
5
2SC5544
NPN硅外延
VHF / UHF宽带放大器
REJ03G0746-0200
（上ADE- 208-691 ）
Rev.2.00
Aug.10.2005
特点
超紧凑的封装;
(1.4
×
0.8
×
0.59mm)
能低电压工作;
(V
CE
= 1V)
概要
瑞萨封装代码： PUSF0003ZA -A
（包名称： MFPAK
R
)
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
注：标记为“ YZ- ” 。
* MFPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
评级
15
8
1.5
50
80
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Rev.2.00 2005年8月10日第1页7
2SC5544
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极输出电容
增益带宽积
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
COB
f
T
PG
NF
民
15
—
—
—
100
—
3
8
—
典型值
—
—
—
—
—
0.88
6
11.6
1.0
最大
—
1
1
10
150
1.4
—
—
2.0
单位
V
A
mA
A
pF
GHz的
dB
dB
测试条件
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
CB
= 12V，我
E
= 0
V
CE
= 8V ，R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5V ，我
C
= 0
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 1V ，我
E
= 0
F = 1MHz的
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
F = 900MHz的
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安
F = 900MHz的
Rev.2.00 2005年8月10日第2 7
2SC5544
主要特点
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率PC（毫瓦）
直流电流传输比H
FE
160
200
V
CE
= 1 V
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
120
80
100
40
0
0
50
100
150
200
1
2
5
10
20
50
100
环境温度Ta （C ）
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积主场迎战
集电极电流
（千兆赫）
20
V
CE
= 1 V
16
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
（PF ）
2.0
I
E
= 0
F = 1MHz的
1.2
增益带宽乘积F
T
0.2
0.5
1
2
5
10
1.6
12
0.8
8
0.4
4
0
0.1
0
1
2
5
10
20
50
100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
功率增益与集电极电流
20
V
CE
= 1 V
F = 900MHz的
5
噪声系数与集电极电流
V
CE
= 1 V
功率增益PG （分贝）
12
噪声系数NF （ dB）的
16
4
F = 900MHz的
3
8
2
4
1
0
1
0
2
5
10
20
50
100
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
Rev.2.00 2005年8月10日第3页7
2SC5544
S
21
参数与集电极电流
20
V
CE
= 1 V
S
21
参数| S
21
| （ dB）的
16
F = 1GHz的
2
12
8
4
0
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流I
C
（MA ）
Rev.2.00 2005年8月10日第4 7
2SC5544
S11参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
.2
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–5
–4
–3
–.4
–.6
–.8
–1.5
–2
–120°
–90°
–60°
–1
180°
0°
150°
30°
1
1.5
2
S21参数与频率的关系
90°
120°
规模： 4 / DIV 。
60°
–150°
–30°
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
S12参数与频率的关系
90°
120°
S22参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
1
1.5
2
规模： 0.04 / DIV 。
60°
150°
30°
.2
4
5
10
180°
0°
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–150°
–30°
–.4
–120°
–90°
–60°
–.6
–.8
–1.5
–2
–1
–5
–4
–3
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
条件： V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
Rev.2.00 2005年8月10日第5页7
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2-1415899-5
28F128W30
2450FB15K0004
22-16-2061
2SK556
2SD871
27LV512-20I/TS
24-3553-16
2391.25
206-4212SNP
20CJQ100PBF
270V220A501B1A1
2SD1821
24850
25RIA80MS90
供货商
型号
厂家
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    2SC5544
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