数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5509
NPN硅射频晶体管
中等输出功率
低噪音
高增益放大
FLAT - LEAD 4针薄型SUPER MINIMOLD
特点
适用于中等输出功率放大
NF = 1.2 dB典型值。 ,G
a
= 12 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
最大可用功率增益: MAG = 14 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V,I
C
= 50 mA时, F = 2 GHz的
f
T
= 25 GHz的技术采用
扁平引脚4引脚薄型超minimold包
订购信息
产品型号
2SC5509
2SC5509-T2
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 (发射极) ,引脚2 (珍藏)面对磁带的侧穿孔
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
15
3.3
1.5
100
190
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
自由的空气
由于这款产品采用高频技术,避免过多的静电,等等。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文件前,请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PU10009EJ01V0DS (第1版)
发布日期2001年10月CP ( K)
日本印刷
NEC化合物半导体器件2001年
初步
数据表
2SC5509
NPN硅晶体管RF
用于中等输出功率,低噪声,高增益放大
扁平引脚4引脚薄型超级Minimold ( M04 )
R09DS0056EJ0300
Rev.3.00
2013年3月5日
特点
适用于中等输出功率放大
NF = 1.2 dB典型值。 ,G
a
= 12 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
最大可用功率增益: MAG = 14 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V,I
C
= 50 mA时, F = 2 GHz的
f
T
= 25 GHz的技术采用
扁平引脚4引脚薄型超minimold ( M04 )封装
<R>
订购信息
产品型号
2SC5509
2SC5509-T2
订单号
2SC5509-A
2SC5509-T2-A
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
包
扁平引线4针
瘦型超
minimold ( M04 )
(无铅)
供给方式
8mm宽压纹带卷
引脚1 (发射极) ,引脚2 (珍藏)面
带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品,请联系您最近的销售部门。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值(T
C
= 25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
记
自由的空气。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
totNote
T
j
T
英镑
评级
15
3.3
1.5
100
190
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
热阻
参数
结到外壳热阻
结到环境阻力
符号
R
第j个-C
R
日J-一
评级
95
650
单位
°C
/W
°C
/W
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场:修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0056EJ0300 Rev.3.00
2013年3月5日
第1页8
2SC5509
噪声特性
章标题
噪声系数,相关的增益
与集电极电流
6.0
5.0
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
30
25
G
a
20
15
10
5
NF
0.0
1
10
集电极电流I
C
(MA )
0
100
0.0
6.0
5.0
噪声系数,相关的增益
与集电极电流
30
V
CE
= 2 V
F = 1.5 GHz的
25
20
G
a
3.0
2.0
1.0
NF
1
10
集电极电流I
C
(MA )
0
100
15
10
5
相关增益G
a
( dB)的
4.0
3.0
2.0
1.0
4.0
噪声系数,相关的增益
与集电极电流
6.0
5.0
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
30
25
20
G
a
15
10
5
0
100
6.0
5.0
噪声系数,相关的增益
与集电极电流
30
V
CE
= 2 V
F = 2.5 GHz的
25
20
15
G
a
2.0
1.0
0.0
NF
10
5
0
100
相关增益G
a
( dB)的
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
4.0
3.0
NF
1
10
集电极电流I
C
(MA )
1
10
集电极电流I
C
(MA )
备注
该图表显示的标称特性。
<R>
S-参数
提供在我们的网站的形式( S2P ),使直接导入S参数和噪声参数
参数到微波电路仿真器,而不需要键盘输入。
点击这里下载S参数。
[产品介绍]
→
[RF设备]
→
[设备参数]
网址http://www.renesas.com/products/microwave/
R09DS0056EJ0300 Rev.3.00
2013年3月5日
第5页8
相关增益G
a
( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
相关增益G
a
( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的