【晶体管2SC5363(Tentative)NPN硅外延平面型对于低电压高频放大单位：mm1.6±0.】,IC型号2SC5363,2SC5363 PDF资料,2SC5363经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SC5363(Tentative)

NPN硅外延平面型

对于低电压高频放大

单位：mm

1.6±0.15

特点

0.4

0.8±0.1

0.4

0.2

–0.05

0.15

–0.05

+0.1

高转换频率f

小集电极输出电容C

SS-迷你型封装，设备的小型化使

并通过带包装自动插入。

1.6±0.1

1.0±0.1

0.5

0.45±0.1 0.3

0.75±0.15

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

(Ta=25C)

评级

125

–55 ~ +125

单位

1 ：基本

2 ：发射器

3 ：收藏家

EIAJ ：SC- 75

SS-迷你型包装

标记符号：

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极输出电容

跃迁频率

FOWARD转让收益

噪声系数

(Ta=25C)

符号

CBO

EBO

| S

21e

条件

= 5V ，我

= 0

= 1V ，我

= 0

= 3V ，我

= 10毫安

= 3V ，我

= 0中，f = 1MHz的

= 3V ，我

= 10毫安中，f = 1.5GHz的

= 0.3V时，我

= 1mA时， F = 0.9GHz

= 0.3V时，我

= 1mA时， F = 0.9GHz

100

0.4

6.5

1.7

民

典型值

最大

200

0.7

GHz的

单位

0-0.1

0.2±0.1

+0.1

晶体管

- TA

150

Ta=25C

125

2SC5363

— V

=3V

— V

集电极耗散功率P

（ mW）的

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

100

=600A

500A

Ta=75C

25C

–25C

400A

300A

200A

100A

80 100 120 140 160

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

CE （ SAT ）

— I

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

0.3

Ta=75C

0.1

0.03

0.01

0.003

0.001

0.1

25C

–25C

=10

120

— I

1000

=3V

300

100

0.3

0.1

— I

=3V

f=1.5GHz

正向电流传输比H

100

Ta=75C

25C

–25C

0.3

100

0.3

100

过渡频率f

（千兆赫）

0.3

100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

| S

21e

— I

4.8

NF - 我

1.2

— V

集电极输出电容C

（PF ）

=0.3V

f=900MHz

f=1MHz

Ta=25C

正向传输增益| S21e |

（ dB）的

=0.3V

f=900MHz

4.0

1.0

噪声系数NF （ dB）的

3.2

0.8

2.4

0.6

1.6

0.4

0.8

0.2

0.1

0.3

100

0.1

0.3

100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

集电极基极电压V

(V)

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