【2SC535NPN硅外延平面ADE - 208-1047 （ Z）1日。版2001年3月应用甚高频放】,IC型号2SC535B,2SC535B PDF资料,2SC535B经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC535

NPN硅外延平面

ADE - 208-1047 （ Z）

1日。版

2001年3月

应用

甚高频放大器，混频器，本地振荡器

概要

TO-92 （2）

1.发射器

2.收集

3. BASE

2SC535

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

100

150

-55到+150

单位

°C

2SC535

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

—

450

—

典型值

—

0.72

0.17

940

0.9

3.5

最大

—

0.5

200

—

1.2

—

5.5

兆赫

单位

测试条件

= 10

= 0

= 1毫安，R

∞

= 10

= 0

= 10 V，I

= 0

= 6 V，I

= 1毫安

= 6 V，I

= 1毫安

= 20 mA时，我

= 4毫安

= 6 V，I

= 5毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 6 V，I

= 1毫安，

F = 100 MHz的

= 6 V，I

= 1毫安，

F = 100兆赫，R

= 50

= 6 V，I

= 1毫安，

F = 100 MHz的

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

增益带宽积

集电极输出电容

功率增益

噪声系数

输入导纳（典型值）

反向传输导纳

（典型值）

FOWARD转移导纳

（典型值）

输出导纳（典型值）

注意：

60至120

100至200

（ BR ） EBO

CBO

CE （ SAT ）

COB

一愕

YRE

YFE

YOE

1.3 + j5.3

–0.078 – j0.41

32 – j10

0.08 + j0.82

1. 2SC535用h分组

如下。

2SC535

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

（ mW）的

150

集电极电流I

（MA ）

300

275

250

225

200

175

150

125

100

典型的输出特性

100

= 0

100

环境Tmperature TA（ ° C）

150

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

集电极电流I

（MA ）

直流电流传输比H

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

120

= 6 V

100

0.1

10A

= 0

集电极到发射极电压V

(V)

0.2

0.5 1.0

集电极电流I

（MA ）

2SC535

典型的传输Cahracteristics （ 1 ）

= 6 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

= 6 V

典型的传输Cahracteristics （ 2 ）

0.6

0.8

0.7

基极至发射极电压V

(V)

0.6

0.8

0.7

基极至发射极电压V

(V)

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

1.5

F = 1 MHz的

= 0

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

0.3

1.0

集电极基极电压V

(V)

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