【晶体管2SC5335(Tentative)NPN硅外延平面型对于低频输出放大单位：mm6.9±0.1】,IC型号2SC5335(TENTATIVE),2SC5335(TENTATIVE) PDF资料,2SC5335(TENTATIVE)经销商,ic,电子元器件-51电子网

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晶体管

2SC5335(Tentative)

NPN硅外延平面型

对于低频输出放大

单位：mm

6.9±0.1

0.15

1.05 2.5±0.1

±0.05

(1.45)

0.8

0.5

4.5±0.1

0.7

4.0

s

特点

q

q

0.65最大。

1.0 1.0

高盼着电流传输比H

FE

.

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

.

0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

*1

(Ta=25C)

评级

60

50

15

1.5

0.7

1.0

150

–55 ~ +150

单位

0.45

–0.05

0.45

–0.05

+0.1

+0.1

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C*1

T

j

T

英镑

2.5±0.5

1

2

2.5±0.5

3

V

V

A

A

W

C

C

1.2±0.1

0.65

马克斯。

0.45

+0.1

– 0.05

注意：除了

所示引线型

上图所示，

在如图所示键入

下图是

也可提供。

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

MT2类型封装

印刷电路板：为1cm铜箔区

2

以上，板

厚度1.7毫米的集电极部

2.5±0.1

V

（ HW型）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25C)

符号

I

CBO

I

首席执行官

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

h

FE*1

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

条件

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

V

CE

= 20V ，我

B

= 0

I

C

= 10μA ，我

E

= 0

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 150毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= -10mA ， F = 200MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

60

50

15

400

0.15

200

11

15

2000

0.4

V

兆赫

pF

民

典型值

最大

1

10

单位

A

A

V

V

V

*1

h

FE

等级分类

R

400 ~ 800

S

T

秩

h

FE

600 ~ 1200 1000 ~ 2000

14.5±0.5

1

晶体管

P

C

- TA

2.0

120

印刷circut板：铜

为1cm箔领域

2

或更多，并且

的1.7毫米板厚度

对于集电部。

Ta=25C

I

B

=100A

100

2SC5335

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10

3

1

0.3

0.1

Ta=75C

0.03

0.01

0.003

0.001

1

3

10

30

100

300

1000

25C

V

CE （ SAT ）

— I

C

I

C

/I

B

=10

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

（MA ）

1.6

90A

80

80A

70A

60

60A

50A

40

40A

30A

20

20A

10A

1.2

0.8

–25C

0.4

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

2

4

6

8

10

12

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

V

BE （ SAT ）

— I

C

100

h

FE

— I

C

集电极输出电容C

ob

（PF ）

I

C

/I

B

=10

1800

V

CE

=10V

24

C

ob

— V

CB

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

30

10

3

25C

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

100

300

1000

Ta=–25C

75C

正向电流传输比H

FE

1500

20

1200

Ta=75C

25C

16

900

–25C

600

12

8

300

4

0

1

3

10

30

100

300

1000

0

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

集电极基极电压V

CB

(V)

2

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