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2SC5252
硅NPN三重扩散平面
ADE - 208-391A （ Z）
第2位。版
应用
字符显示水平偏转输出
特点
高的击穿电压
V
CBO
= 1500 V
高速开关
t
f
≤
0.15微秒（典型值）。
独立包装
TO–3PFM
概要
TO-3PFM
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
2
3
2SC5252
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1. T
C
= 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
Tj
TSTG
1
评级
1500
800
6
15
30
50
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
800
6
—
8
3
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.15
最大
—
—
500
35
6
5
1.5
0.3
V
V
微秒
单位
V
V
A
测试条件
I
C
= 10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10 mA时，我
C
= 0
V
CE
= 1500 V ，R
BE
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V，I
C
= 8 A
I
C
= 10 A，I
B
= 3 A
I
C
= 10 A， IB = 3] A
I
CP
= 7 A，I
B1
= 2 A，F
H
= 31.5千赫
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
下降时间
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
f
2
2SC5252
集电极耗散功率
与外壳温度
件（W）的
集电极耗散功率
80
60
40
20
0
50
100
外壳温度
150
TC （ ℃）
200
Areaof安全Operaion
50
I
B1
= –1 A
L = 180
H
值班< 1 ％
TC = 25°C
I
C
(A)
40
（ 400 V ， 30 A）
集电极电流
30
20
（ 600 V ， 8 A）
（ 800 V ， 4 A）
（ 1500 V ，0.5 mA）的
0
400
800 1200 1600 2000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
10
3
2SC5252
典型的输出特性
10
TC = 25
°C
脉冲测试
2.0 A
1.8 A
1.6 A
1.4 A
1.2 A
1.0 A
0.8 A
0.6 A
集电极电流
I
C
(A)
5
0.4 A
0.2 A
I
B
= 0
0
5
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
100
h
FE
50
20
10
5
2
75°C
25°C
直流电流传输比
TC = -25°C
1
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
集电极电流I
C
(A)
V
CE
= 5 V
脉冲测试
20
4
2SC5252
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
10
5
2
1
75
°C
25
°C
I
C
/ I
B
= 3
脉冲测试
0.5
0.2
TC = -25
°C
0.5
1
2
5
10
20
0.1
0.05
0.1 0.2
集电极电流I
C
(A)
基地发射极饱和电压
与集电极电流
10
基地发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
75
°C
TC = -25
°C
I
C
/ I
B
= 3
脉冲测试
25
°C
0.1
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
集电极电流I
C
(A)
20
5
2SC5252
硅NPN三重扩散平面
ADE - 208-391A （ Z）
第2位。版
应用
字符显示水平偏转输出
特点
高的击穿电压
V
CBO
= 1500 V
高速开关
t
f
≤
0.15微秒（典型值）。
独立包装
TO–3PFM
概要
TO-3PFM
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
2
3
2SC5252
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1. T
C
= 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
Tj
TSTG
1
评级
1500
800
6
15
30
50
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
800
6
—
8
3
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.15
最大
—
—
500
35
6
5
1.5
0.3
V
V
微秒
单位
V
V
A
测试条件
I
C
= 10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10 mA时，我
C
= 0
V
CE
= 1500 V ，R
BE
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V，I
C
= 8 A
I
C
= 10 A，I
B
= 3 A
I
C
= 10 A， IB = 3] A
I
CP
= 7 A，I
B1
= 2 A，F
H
= 31.5千赫
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
下降时间
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
f
2
2SC5252
集电极耗散功率
与外壳温度
件（W）的
集电极耗散功率
80
60
40
20
0
50
100
外壳温度
150
TC （ ℃）
200
Areaof安全Operaion
50
I
B1
= –1 A
L = 180
H
值班< 1 ％
TC = 25°C
I
C
(A)
40
（ 400 V ， 30 A）
集电极电流
30
20
（ 600 V ， 8 A）
（ 800 V ， 4 A）
（ 1500 V ，0.5 mA）的
0
400
800 1200 1600 2000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
10
3
2SC5252
典型的输出特性
10
TC = 25
°C
脉冲测试
2.0 A
1.8 A
1.6 A
1.4 A
1.2 A
1.0 A
0.8 A
0.6 A
集电极电流
I
C
(A)
5
0.4 A
0.2 A
I
B
= 0
0
5
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
100
h
FE
50
20
10
5
2
75°C
25°C
直流电流传输比
TC = -25°C
1
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
集电极电流I
C
(A)
V
CE
= 5 V
脉冲测试
20
4
2SC5252
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
10
5
2
1
75
°C
25
°C
I
C
/ I
B
= 3
脉冲测试
0.5
0.2
TC = -25
°C
0.5
1
2
5
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0.1
0.05
0.1 0.2
集电极电流I
C
(A)
基地发射极饱和电压
与集电极电流
10
基地发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
75
°C
TC = -25
°C
I
C
/ I
B
= 3
脉冲测试
25
°C
0.1
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
集电极电流I
C
(A)
20
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22-28-3332
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联系人：何小姐
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
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