【2SC5251硅NPN三重扩散平面初步应用字符显示水平偏转输出特点高的击穿电压VCBO= 1500 】,IC型号2SC5251,2SC5251 PDF资料,2SC5251经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC5251

硅NPN三重扩散平面

初步

应用

字符显示水平偏转输出

特点

高的击穿电压

CBO

= 1500 V

高速开关

= 0.2微秒（典型值）

独立包装

TO- 3P FM （N ）

概要

TO- 3PFM （ N）

1.基地

2.收集

3.辐射源

2SC5251

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

评级

1500

800

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

800

—

典型值

—

0.2

最大

—

500

1.5

0.4

微秒

单位

测试条件

= 10毫安，R

∞

= 10 mA时，我

= 0

= 1500 V ，R

= 0

= 5 V，I

= 1 A

= 5 V，I

= 5 A

= 7 A，I

= 1.8 A

= 7 A，I

= 1.8 A

= 6 A，I

= 1.5 A,

= 31.5千赫

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

下降时间

（ BR ） EBO

CES

FE1

FE2

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

2SC5251

最大集电极功率

耗散曲线

件（W）的

集电极耗散功率

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

安全工作区

(A)

（ 400 V ， 24 A）

集电极电流

（ 600 V ， 8 A）

（ 800 V ， 3 A）

（ 1500 V ， 0.5毫安）

5 I

= –1 A

L = 180

值班<1 ％

800

1200 1600 2000

400

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

2.0 A

1.8 A

1.6 A

1.4 A

1.2 A

1.0 A

0.8 A

0.6 A

0.4 A

0.2 A

(A)

集电极电流

TC = 25

°C

集电极到发射极电压V

(V)

2SC5251

直流电流传输比

与集电极电流

100

0.1

= 5 V

0.2

0.5

集电极电流

(A)

°C

直流电流传输比

TC = -25

°C

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

(V)

°C

/ I

= 4

0.5

0.2

0.1

TC = -25

°C

0.2

0.5

集电极电流I

(A)

基地发射极饱和电压

与集电极电流

0.05

0.1

基地发射极电压Saturetion

BE （ SAT ）

(V)

TC = -25°C

°C

/ I

= 4

0.5

0.2

0.1

0.2

0.5

集电极电流I

(A)

2SC5251

集电极到发射极饱和电压

与基极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

(V)

TC = 25

°C

= 4 A

0.1

0.2

0.5

基极电流

(A)

下降时间与基极电流

1.0

= 6 A

= 31.5千赫

0.8

秋季时间t

(s)

0.6

0.4

0.2

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

基极电流I

(A)

贮藏时间与基极电流

= 6 A

= 31.5千赫

存储时间t

英镑

(s)

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

基极电流I

(A)

2SC5251

硅NPN三重扩散平面

初步

应用

字符显示水平偏转输出

特点

高的击穿电压

CBO

= 1500 V

高速开关

= 0.2微秒（典型值）

独立包装

TO- 3P FM （N ）

概要

TO- 3PFM （ N）

1.基地

2.收集

3.辐射源

2SC5251

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

评级

1500

800

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

800

—

典型值

—

0.2

最大

—

500

1.5

0.4

微秒

单位

测试条件

= 10毫安，R

∞

= 10 mA时，我

= 0

= 1500 V ，R

= 0

= 5 V，I

= 1 A

= 5 V，I

= 5 A

= 7 A，I

= 1.8 A

= 7 A，I

= 1.8 A

= 6 A，I

= 1.5 A,

= 31.5千赫

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

下降时间

（ BR ） EBO

CES

FE1

FE2

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

2SC5251

最大集电极功率

耗散曲线

件（W）的

集电极耗散功率

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

安全工作区

(A)

（ 400 V ， 24 A）

集电极电流

（ 600 V ， 8 A）

（ 800 V ， 3 A）

（ 1500 V ， 0.5毫安）

5 I

= –1 A

L = 180

值班<1 ％

800

1200 1600 2000

400

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

2.0 A

1.8 A

1.6 A

1.4 A

1.2 A

1.0 A

0.8 A

0.6 A

0.4 A

0.2 A

(A)

集电极电流

TC = 25

°C

集电极到发射极电压V

(V)

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直流电流传输比

与集电极电流

100

0.1

= 5 V

0.2

0.5

集电极电流

(A)

°C

直流电流传输比

TC = -25

°C

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

(V)

°C

/ I

= 4

0.5

0.2

0.1

TC = -25

°C

0.2

0.5

集电极电流I

(A)

基地发射极饱和电压

与集电极电流

0.05

0.1

基地发射极电压Saturetion

BE （ SAT ）

(V)

TC = -25°C

°C

/ I

= 4

0.5

0.2

0.1

0.2

0.5

集电极电流I

(A)

2SC5251

集电极到发射极饱和电压

与基极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

(V)

TC = 25

°C

= 4 A

0.1

0.2

0.5

基极电流

(A)

下降时间与基极电流

1.0

= 6 A

= 31.5千赫

0.8

秋季时间t

(s)

0.6

0.4

0.2

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

基极电流I

(A)

贮藏时间与基极电流

= 6 A

= 31.5千赫

存储时间t

英镑

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0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

基极电流I

(A)

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