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功率晶体管
2SC5223
硅NPN三重扩散平面型
单位：mm
对于高速切换
7.3±0.1
1.8±0.1
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
2.3±0.1
0.5±0.1
2.5±0.1
0.8max
0.93±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
q
q
高集电极到基极电压V
CBO
高集电极到发射极V
首席执行官
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率（T
C
=25°C)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
500
500
7
2.0
1.0
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
2.3
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
U型套餐
单位：mm
6.5±0.2
5.35
4.35
1.8
0.75
2.3
W
C
C
1
2
3
0.6
0.5±0.1
2.3±0.1
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
条件
V
CB
= 400V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 330毫安
I
C
= 330毫安，我
B
= 33毫安
I
C
= 330毫安，我
B
= 33毫安
500
500
7
100
100
民
典型值
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 63
U型封装（ Z）
最大
100
10
6.0
5.5±0.2
13.3±0.3
1.0±0.2
s
特点
单位
A
A
V
V
V
1.0
1.5
V
V
1
功率晶体管
P
C
- TA
12
无散热片
600
Ta=25C
500
2SC5223
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
I
C
/I
B
=10
3
1
T
C
=100C
0.3
25C
0.1
–25C
0.03
0.01
0.003
0.001
0.001 0.003
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
10
集电极电流I
C
(A)
I
B
=6mA
400
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
8
6
300
4
200
2
100
0
0
40
80
120
160
200
0
0
1
2
3
4
5
6
0.01 0.03
0.1
0.3
1
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
100
600
h
FE
— I
C
120
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=5V
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.001 0.003
T
C
=–25C
25C
正向电流传输比H
FE
500
100
400
T
C
=100C
300
25C
200
–25C
100
80
60
100C
40
20
0.01 0.03
0.1
0.3
1
0
0.001 0.003
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
1
3
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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22-28-7020
25045HP-12000
2SC876
2SB794K
229.75
280-006H3BX
24AA01HT-I/MNY
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