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功率晶体管
2SC5121
硅NPN三重扩散平面型
对于一般的放大
8.0
–0.1
+0.5
单位：mm
3.2±0.2
q
q
q
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(T
C
=25C)
评级
400
400
7
100
70
1.2
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
C
C
1
2
3
0.5±0.1
0.75±0.1
4.6±0.2
2.3±0.2
0.5±0.1
1.76±0.1
16.0±1.0
1.9±0.1
高集电极到基极电压V
CBO
高集电极到发射极V
首席执行官
小集电极输出电容C
ob
的TO- 126封装，其被安装到热沉而没有任何insu-
LATION件
11.0±0.5
φ3.16±0.1
3.05±0.1
s
特点
3.8±0.3
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 126 （B ）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
我热
首席执行官
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 300V ，我
E
= 0
V
CE
= 380V ，我
B
= 0 ， TA = 80℃
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
I
E
= 1μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -10mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
50
80
4
8
400
7
30
150
1.2
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
10
10
单位
A
A
V
V
1
功率晶体管
P
C
- TA
2.4
无散热片
120
T
C
=25C
100
100
2SC5121
I
C
— V
CE
120
V
CE
=10V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
2.0
集电极电流I
C
（MA ）
1.6
80
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=1.2mA
1.0mA
0.8mA
80
1.2
60
0.6mA
40
0.4mA
60
0.8
40
0.4
20
0.2mA
20
0
0
40
80
120
160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
I
C
/I
B
=10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.1
10000
3000
h
FE
— I
C
12
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=10V
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
10
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
8
6
4
2
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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2106003-1
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    2SC5121
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