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> 2SC5060TV2M
2SC5060
晶体管
功率晶体管( 90 ± 10V , 3A)
2SC5060
!
特点
1 )内置在集电极和基极之间的齐纳二极管。
2 )齐纳二极管具有低电压分散性。
3 )强大的防反接保护电源浪涌由于“ L”
负载。
4 )达林顿连接高直流电流增益。
5 )内置基极和发射极之间的电阻。
6 )内置阻尼二极管。
!
外形尺寸
(单位:毫米)
6.8
2.5
0.65Max.
1.0
0.5
2.54 2.54
0.9
(1) (2) (3)
1.05
14.5
4.4
0.45
!
等效电路
C
大坪规格
ROHM : ATV
(1 )发光体
( 2 )集电极
(3 )基
B
R
1
B:基本
C:收藏家
E:发射器
R
1
R
2
R
2
E
3k
1k
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
90±10
90±10
6
1
2
1
150
55~+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
°C
°C
1
2
1
单脉冲Pw = 10ms的
2
印刷电路板1.7毫米厚,收藏家镀铜100mm以上
2
.
!
包装规格和h
FE
TYPE
包
h
FE
CODE
基本订购单位(件)
2SC5060
亚视
M
TV2
2500
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
t
on
t
英镑
t
f
分钟。
80
80
1000
典型值。
80
20
0.2
5
0.6
马克斯。
100
100
10
3
2500
1.5
2
单位
V
V
A
mA
V
V
兆赫
pF
s
s
s
条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
V
CB
=70V
V
EB
=5V
V
CE
=3V,
I
C
=0.5A
I
C
/I
B
=500mA/1mA
I
C
/I
B
=500mA/1mA
V
CB
=5V,
I
E
=0.1A,
f=30MHz
V
CE
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
I
C
=0.8A,
R
L
=50
I
B1
=I
B2
=8mA
V
CC
40V
1
1
2
1
利用脉冲电流测量。
2
该装置的过渡频率。
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2SC5060TV2M
PDF信息
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22-02-7053
27C256-10EP
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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