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2SC5030
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5030
频闪闪光灯应用
中功率放大器的应用
单位：mm
高直流电流增益：H
FE （1）
= 800 3200 （V
CE
= 2 V，I
C
= 0.5 A)
: h
FE （2）
= 250 （分钟） （Ⅴ
CE
= 2 V，I
C
= 4 A)
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.5 V （最大值）
(I
C
= 4 A，I
B
= 40 mA）的
高集电极耗散功率：P
C
= 1.3 W
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC
集电极电流
脉冲
（注）
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
40
20
8
5
8
0.5
1.3
150
55
150
A
单位
V
V
V
JEDEC
JEITA
东芝
A
W
°C
°C
―
―
2-8M1A
重量：0.88克（典型值）。
注：条件：脉冲宽度= 10毫秒（最大值） ，占空比= 30 ％ （最大值）
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
EB
= 8 V，I
C
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2 V，I
C
= 4 A
I
C
= 4 A，I
B
= 40毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 4 A
V
CE
= 2 V，I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
20
800
250
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
150
45
最大
100
100
―
3200
―
0.5
1.2
―
―
V
V
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
1
2004-07-26
2SC5030
记号
C5030
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2004-07-26
2SC5030
I
C
– V
CE
10
共发射极
8
50
40
30
20
10
6
5
4
2
2
IB = 0.5毫安
0
0
0
0
TA = 25°C
8
共发射极
VCE = 2 V
I
C
– V
BE
I
C
(A)
I
C
(A)
集电极电流
6
集电极电流
4
TA = 125°C
2
25
40
1
2
3
4
5
6
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
10000
5
3共射
3000
TA = 125°C
25
40
V
CE （SAT）
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
IC / IB = 200
1
h
FE
直流电流增益
1000
0.3
300
0.1
TA = 125°C
100
共发射极
VCE = 2 V
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.03
40
0.01
0.01
25
集电极电流I
C
(A)
0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
V
BE （SAT）
– I
C
10
V
BE （SAT）
(V)
共发射极
IC / IB = 200
1.6
3
TA =
40°C
25
0.3
125
P
C
- TA
(W)
P
C
集电极耗散功率
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
基射极饱和电压
0.1
0.03
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
25
50
75
100
125
150
175
集电极电流I
C
(A)
环境温度
Ta
(°C)
3
2004-07-26
2SC5030
r
th
– t
w
1000
曲线应该在热面积有限施加。 （单非重复脉冲）
TA = 25°C
（ ° C / W）
瞬态热阻
r
th
100
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
20
10 IC MAX（脉冲） *
5
IC MAX（连续）
1毫秒*
100毫秒*
(A)
3
10毫秒*
1
0.5
0.3
*:
单一不重复的脉冲
0.1
0.05
TA = 25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.3
0.5
1
3
5
最大VCEO
10
30
直流操作
TA = 25°C
集电极电流I
C
0.03
0.1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2004-07-26
2SC5030
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
5
2004-07-26
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2N2222AWC
2SC2885M
28LV64A-30/VS
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