2SC5025
NPN硅外延
应用
高频放大器
TO–126FM
特点
卓越的高频特性
f
T
= 1.2 GHz的典型值
低输出电容
COB = 5.0 pF的典型值
1
2
3
1.发射器
2.收集
3. BASE
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
集电极耗散功率
结温
储存温度
注： 1。价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
集成电路（峰值）
P
C
P
C
*1
Tj
TSTG
等级
30
20
3.5
0.3
0.5
1
5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
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2SC5025
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
COB
民
20
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安，
R
BE
=
∞
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
V
CE
= 5 V,
I
C
= 50毫安
V
V
CE
= 5 V,
I
C
= 300毫安
I
C
= 300毫安，
I
B
= 60毫安
V
CE
= 5 V,
I
C
= 100毫安
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
EB
= 2 V,
I
C
= 0,
F = 1 MHz的
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
—
—
1.0
mA
———————————————————————————————————————————
发射Cuto FF电流
—
—
1.0
mA
———————————————————————————————————————————
直流电流
传输比
基地发射极电压
40
—
200
———————————————————————————————————————————
—
—
1.2
———————————————————————————————————————————
集电极到发射极
饱和电压
增益带宽积
—
—
2.0
V
———————————————————————————————————————————
—
1.2
—
GHz的
———————————————————————————————————————————
集电极输出电容
—
5.0
—
pF
———————————————————————————————————————————
输入电容
兴业银行
—
10
—
pF
———————————————————————————————————————————
见2SC3652的特性曲线。
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