数据表
硅晶体管
2SC5015
高频低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
4引脚超小模具
特点
小包装
高增益带宽积（F
T
= 12 GHz的TYP 。 ）
低噪声，高增益
低电压工作
包装尺寸
以毫米为单位
2.1 ± 0.2
0.3
+0.1
–0.05
1.25 ± 0.1
0.3
+0.1
–0.05
（ LEADS 2，3， 4）
1
4
0.4
+0.1
–0.05
带的穿孔侧。
2SC5015-T2
3千件/卷。
压纹带8mm宽。
PIN1 （珍藏） ，PIN2 （发射极） faceto
带的穿孔侧。
0.9 ± 0.1
0.3
2SC5015-T1
3千件/卷。
压纹带8mm宽。
引脚3 （基地） ，引脚4 （发射极） faceto
0-0.1
引脚连接
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
*
请与NEC负责人，如果你需要评估咨询，
sample.Unit样本数量为50个。 （部件号： 2SC5014 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
i
T
英镑
9
6
2
30
150
150
-65到+ 150
V
V
V
mA
mW
C
C
注意：静电敏感设备
一号文件P10394EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页第TD- 7938 ）
发布日期1995年P月
日本印刷
0.3
+0.1
–0.05
0.15
+0.1
–0.05
部分
数
QUANTITY
包装方式
(1.3)
订购信息
2.0 ± 0.2
(1.25)
0.60 0.65
T83
2
3
1993
2SC5015
典型特征（T
A
= 25 C)
总功耗
- 环境温度
50
P
T
- 总功率耗散 - 毫瓦
200
I
C
- 集电极电流 - 毫安
40
30
20
10
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 3 V
100
0
50
100
150
0
0.5
V
BE
- 基地发射极Voltafe - V
1.0
T
A
- Ambinet Temperatute - C
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
30
I
C
- 集电极电流 - 毫安
I
B
= 200
A
180
A
160
A
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
20
A
2
4
6
8
500
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 3 V
h
FE
- 直流电流增益
200
100
50
20
10
20
10
0
1
2
5
10
20
50
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
I
C
- 集电极电流 - 毫安
增益带宽积
与集电极电流
14
f
T
- 增益带宽积 - GHz的
12
10
8
6
4
2
0
1
2
5
10
20
50
| S
21a
|
2
- 插入功率增益 - 分贝
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
12
10
8
6
4
2
0
插入功率增益与
集电极电流
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
1
2
5
10
20
50
I
C
- 集电极电流 - 毫安
I
C
- 集电极电流 - 毫安
3
QQ：2880707522 复制
