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功率晶体管
2SC4985
硅NPN三重扩散平面型
对于高击穿电压的高速开关
7.5±0.2
单位：mm
4.5±0.2
10.8±0.2
s
特点
q
q
q
3.8±0.2
高集电极到基极电压V
CBO
高集电极到发射极V
首席执行官
允许自动插入径向编带
90°
0.65±0.1
0.85±0.1
2.5±0.1
1.0±0.1
0.8C
0.7±0.1
0.7±0.1
0.8C
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
900
800
7
2
1
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
16.0±1.0
0.5±0.1
2.5±0.2
0.8C
2.5±0.2
0.4±0.1
2.05±0.2
1
2
3
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT3类型封装
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 900V ，我
E
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 500毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
I
C
=的200mA，我
B1
= 40毫安，我
B2
= -80mA ，
V
CC
= 250V
80
1
3
1
800
6
3
1.5
1
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
50
50
单位
A
A
V
1
功率晶体管
P
C
- TA
2.0
无散热片
1.2
T
C
=25C
I
B
=200mA
1.0
2SC4985
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
3
I
C
/I
B
=5
V
CE （ SAT ）
— I
C
T
C
=100C
25C
1
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
1.6
0.8
1.2
0.6
0.8
0.4
100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
0.3
–25C
0.1
0.4
0.2
10mA
0.03
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
3
25C
1
T
C
=–25C
100C
0.3
I
C
/I
B
=5
100
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=5V
f
T
— I
C
V
CE
=10V
f=200MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
30
25C
T
C
=100C
过渡频率f
T
（兆赫）
0.3
1
3
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.001 0.003
10
–25C
3
0.1
1
0.03
0.3
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0.1
0.01
0.03
0.1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
2
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2-1393250-8
25LC040AXT-E/OT
供货商
型号
厂家
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封装
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    2SC4985
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    -
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    -
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