SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4980
描述
·随着ITO -220封装
·开关功率晶体管
·低集电极饱和电压
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
80
7
5
10
1.5
2
25
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
5.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4980
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4980
描述
·带
的ITO -220封装
切换
功率晶体管
ULOW
集电极饱和电压
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
80
7
5
10
1.5
2
25
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
5.0
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4980
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4980
描述
·带
的ITO -220封装
切换
功率晶体管
ULOW
集电极饱和电压
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
80
7
5
10
1.5
2
25
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
5.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4980
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
新电元
开关功率晶体管
HSV系列
2SC4980
(TP5S8)
5A NPN
外形尺寸
案例： ITO -220
单位：mm
评级
.Absolute最大额定值
项
储存温度
结温
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流DC
集电极电流峰值
基极电流DC
基极电流峰值
总晶体管耗散
介电强度
安装力矩
符号
TSTG
Tj
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
VDIS
器
条件
TC = 25 ？
终端的情况下， AC 1分钟
(Recommended torque : 0.3N½m）
评级
-55150
150
100
80
7
5
10
1.5
2
25
2
0.5
评级
80分钟
最大0.1
最大0.1
最大0.1
70分钟
最大0.3
最大1.2
最多5
TYP 50
最大0.3
最大1.5
最大0.2
单位
℃
℃
V
V
V
A
A
A
A
W
kV
N½m
●电气特性（ TC = 25 ℃ ）
项
符号
集电极到发射极耐受电压
V
首席执行官
（ SUS）的
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE
集电极到发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基地发射极饱和电压
V
BE
（SAT）
热阻
θJC
跃迁频率
f
T
启动时间
吨
贮存时间
下降时间
条件
I
C
= 0.05A
在额定电压
在额定电压
V
CE
= 2V ，我
C
= 2.5A
I
C
= 2.5A
I
B
= 0.13A
结到外壳
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.5A
I
C
= 2.5A
I
B1
= 0.25A ，我
B2
= 0.25A
R
L
= 12Ω, V
BB2
= 4V
单位
V
mA
mA
V
V
℃/W
兆赫
ts
tf
μs
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4980
描述
·带
的ITO -220封装
切换
功率晶体管
ULOW
集电极饱和电压
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
ES
昂
CH
T
C
=25℃
导½
半
条件
发射极开路
开基
集电极开路
ON
MIC
E
OR
DUT
价值
100
80
7
5
10
1.5
2
25
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
总功耗
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
5.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4980
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
QQ：2880707522 复制
