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晶体管
2SC4968
NPN硅外延平面型
对于UHF频段低噪声放大
单位：mm
5.0±0.2
4.0±0.2
s
特点
q
q
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
15
10
2
80
600
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
2.54±0.15
1 2 3
0.45
–0.1
1.27
+0.2
13.5±0.5
低噪声系数NF 。
高增益。
高转换频率f
T
.
5.1±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
2.3±0.2
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
正向电流传输比
跃迁频率
集电极输出电容
FOWARD转让收益
最大单边功率增益
噪声系数
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
h
FE
f
T
C
ob
| S
21e
|
2
GUM
NF
条件
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
EB
= 2V ，我
C
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
V
CE
= 8V ，我
C
= 20mA下
V
CE
= 8V ，我
C
= 20mA时， F = 800MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 8V ，我
C
= 20mA时， F = 800MHz的
V
CE
= 8V ，我
C
= 20mA时， F = 800MHz的
V
CE
= 8V ，我
C
= 20mA时， F = 800MHz的
10
15
10
50
5
150
6
0.7
13.5
15
2
1.2
300
GHz的
pF
dB
dB
dB
民
典型值
最大
1
1
单位
A
A
V
V
1
晶体管
P
C
- TA
800
24
Ta=25C
700
20
I
B
=200A
100
2SC4968
I
C
— V
CE
120
V
CE
=8V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
180A
160A
16
140A
120A
12
100A
80A
60A
4
40A
20A
0
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
25C
Ta=75C
80
–25C
60
8
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
12
V
CE
=8V
f
T
— I
C
V
CE
=8V
f=800MHz
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
（千兆赫）
10
30
100
10
400
Ta=75C
300
25C
200
–25C
100
8
Ta=75C
25C
–25C
6
4
2
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
口香糖 - 我
C
最大单边功率增益胶（分贝）
24
V
CE
=8V
f=800MHz
Ta=25C
12
NF - 我
C
V
CE
=8V
(R
g
=50)
f=800MHz
Ta=25C
2.4
2.0
20
10
1.6
16
噪声系数NF （ dB）的
0.3
1
3
10
30
100
8
1.2
12
6
0.8
8
4
0.4
4
2
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
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27C128-20I/SO
206-415
24LC32A-E/PG
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