2SC4944
东芝三极管
硅NPN外延型（厘过程）
2SC4944
音频通用Amplefier应用
小型封装（双型）
高电压和高电流： V
首席执行官
= 50 V，I
C
= 150 MA（最大）
高
FE
: h
FE
= 120~400
优秀
FE
线性：H
FE
(I
C
= 0.1毫安） /小时
FE
(I
C
= 2毫安） = 0.95 （典型值）。
补充2SA1873
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
200
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2L1A
注意：
重量： 6.2毫克（典型值）。
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件（即工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
1
2007-11-01
2SC4944
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注2 ）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
60 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
6 V，I
C
=
2毫安
I
C
=
百毫安，我
B
=
10毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
120
80
典型值。
0.1
2
最大
0.1
0.1
400
0.25
3.5
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
注2 ：小时
FE
分类
Y（ Y） ： 120 240 ， GR （ G） ： 200 400
（ ）标记符号
2
2007-11-01
2SC4944
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
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2007-11-01
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