数据表
硅晶体管
2SC4942
NPN硅TRIPLE DIFFUSED晶体管
高速高压开关
该2SC4942是高速高开发了晶体管
电压开关。该晶体管非常适合用于切换使用
设备，如开关稳压器和DC / DC转换器。
封装图（单位：mm ）
特点
新的封装与小之间的尺寸
信号和电源信号包
高电压
开关速度快
与2SA1871互补晶体管
质量等级
标准
请参考“质量等级NEC半导体
由NEC发布的设备“ （文档编号C11531E ）
公司知道质量等级的规格
设备和推荐应用。
电极连接
1.发射器
2.收集
3. BASE
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
j
T
英镑
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
7.5厘米
2
×
0.7毫米陶瓷板装
条件
评级
600
600
7.0
1.0
2.0
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16152EJ1V0DS00 （第2版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
2SC4942
（ / （ &75,& $ / & + 5美元&7美元（ 5,67,&6 ？ 7D
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
ON
t
英镑
t
f
°
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
30
5
55
10
0.35
0.9
30
15
0.1
4.0
0.2
0.5
5.0
0.5
1.0
1.2
120
单位
V
CB
= 600 V，I
E
= 0
V
EB
= 7.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 0.5 A
I
C
= 400 mV时，我
B
= 80毫安
I
C
= 400 mV时，我
B
= 80毫安
V
CE
= 5.0 V，I
E
=
50
mA
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 0.5 A ，V
CC
= 250 V
I
B1
=
I
B2
= 0.1 A
R
L
= 500
A
A
V
V
兆赫
pF
s
s
s
K
)(
&/$66,),&$7,21
记号
h
FE1
AA1
30至60
AA2
40至80
AA3
60至120
7<3,& $ / & + 5美元&7美元（ 5,67,&6 ？ 7D
°
“ DWD 6KHHW ” ......（ - ？ 9' 6 ？
2SC4942
“ DWD 6KHHW ” ......（ - ？ 9' 6 ？
2SC4942
“ DWD 6KHHW ” ......（ - ？ 9' 6 ？
2SC4942
>0(02@
“ DWD 6KHHW ” ......（ - ？ 9' 6 ？
QQ：2880707522 复制
