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2SC4908
硅NPN三重扩散平面晶体管
(高压Switchihg晶体管)
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SC4908
900
800
7
3(
脉冲
6)
1.5
35(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用:
开关稳压器和通用
(Ta=25°C)
2SC4908
100
最大
100
最大
800
10至30
0.5
最大
1.2
最大
6
典型值
40
典型值
V
V
兆赫
pF
13.0min
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
C
OB
条件
V
CB
=800V
V
EB
=7V
I
C
=10mA
V
CE
= 4V ,我
C
=0.7A
I
C
= 0.7A ,我
B
=0.14A
I
C
= 0.7A ,我
B
=0.14A
V
CE
= 12V,我
E
=–0.3A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
外形尺寸
FM20(TO220F)
4.0
±0.2
10.1
±0.2
4.2
±0.2
2.8 c0.5
单位
A
V
16.9
±0.3
8.4
±0.2
A
1.35
±0.15
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
0.45
+0.2
-0.1
2.54
2.2
±0.2
2.4
±0.2
s
典型的开关特性(共发射极)
V
CC
(V)
250
R
L
()
357
I
C
(A)
0.7
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(A)
0.1
I
B2
(A)
–0.35
t
on
(
s)
1
最大
t
英镑
(
s)
5
最大
t
f
(
s)
1
最大
2.54
3.9
B权证
±0.2
0.8
±0.2
a
b
3.3
±0.2
重量:约2.0克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
CE
特征
(典型值)
A
0m
V
CE
(SAT) ,V
BE
(SAT) - 我
C
温度特性
(典型值)
ollector - 在V OL吨AG电子V EM伊特尔萨图拉缇
权证(S AT)
(V )
在V OL吨AG电子V EM伊特尔萨TUR在我 - B为e
B E( s的)
( V)
2
I
C
/I
B
= 5纳秒有限公司T,
I
C
– V
温度特性
(典型值)
3
( V
CE
=4 V )
3
50
40 0米一
300米一
C 0升L E C到R C ü R R简T I
C
( A)
200米一
醇L E (C T) R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
2
140米一
2
V
BE
(S一T)
1
1
I
B
=20mA
V
权证
(S AT)
0
0.03 0.05
0. 1
0. 5
1
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1 .2
0
0
1
2
3
4
联合L L EC T或 - 惠吨吨呃V OL踏歌V
权证
(V)
联合L L EC为R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
B为E- EM I T T或V L T A G é V
BE
( V )
(V
权证
= 4 V )
50
12 5 C
D C ú R R简吨盖N·H
FE
2 5 C
–3 0 C
10
SW I T C喜体中T I M E
t
上?
t
ST克
t
f
( s)
5
t
s TG
V
CC
2 5 0 V
I
C
: I
B1
: I
B2
=2 :0 . 3: –1
瞬态热阻
θ
-a
(℃ / W)的
h
F ê
– I
C
特征
(典型值)
t
0:N
t
S T摹
t
f
– I
C
特征
(典型值)
4
θ
的J - 一
- T特征
1
t
f
0 .5
t
on
0 .2
0.1
0 .5
1
3
1
5
0.5
0.3
2
0.02
0.05
0.1
0 .5
1
3
1
10
时间t( ms)的
125
C (C
60mA
日月光
1
p)
25C (C
ASE特
MP )
–30C (C
ASE TEM
p)
10 0
1000
联合升乐克拉 R C乌尔仁T I
C
(A )
C 0 LL ê CT 铜R R鄂西北我
C
( A)
安全工作区
(单脉冲)
10
10
反向偏置安全工作区
35
电脑 - 钽降额
10
马个IM UM P流è R D所I S的I P A T I对P
C
( W )
5
0
5
30
W
第i个
合作llec到R C ü R R简T I
C
( A )
s
合作LLE CTO R C ü R R简T I
C
( A )
In
ITE
20
he
1
1
无需散热器
自然冷却
L=3mH
I
B2
=–1.0A
职务:小于1 %
at
si
nk
0.5
无需散热器
自然冷却
0 .5
10
W I吨H 2 O ü吨 E A TS我N·K
0.1
50
1 00
50 0
1000
0 .1
50
10 0
5 00
10 00
2
0
0
25
50
75
100
12 5
1 50
合作LL ê CT R- EM I T吨ER武L T AG电子V
权证
(V )
联合L L EC于r - 他们我TT呃武升TA克ê V
权证
( V)
A M双鄂西北率T e米P·E·R一吨UR (E T) A( C)
121
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4908
描述
·带
TO- 220F封装
电压。
高速开关
应用
For
开关稳压器和通用
用途的应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 220F )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
900
800
7
3
6
1.5
35
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 0.7A ;我
B
=0.14A
I
C
= 0.7A ;我
B
=0.14A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.7A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.3A ; V
CE
=12V
10
40
6
800
2SC4908
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
30
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.7A ;我
B1
=0.1A
I
B2
=-0.35A
V
CC
= 250V ,R
L
=357Ω
1.0
5.0
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4908
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4908
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4908
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压。
·高速开关
应用
·对于开关稳压器和通用
用途的应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 220F )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
900
800
7
3
6
1.5
35
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 0.7A ;我
B
=0.14A
I
C
= 0.7A ;我
B
=0.14A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.7A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.3A ; V
CE
=12V
10
800
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
2SC4908
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
30
40
6
V
V
A
A
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.7A ;我
B1
=0.1A
I
B2
=-0.35A
V
CC
= 250V ,R
L
=357B
1.0
5.0
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4908
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4908
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC4908
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SC4908
SANKEN
2443+
23000
TO-220F
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
联系人:张小姐
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2SC4908
SANYO
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TO-3P
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电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
2SC4908
SANYO
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SC4908
SANKEN
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC4908
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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联系人:林
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联系人:朱小姐 刘小姐
地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
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